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基于双向可控硅的强鲁棒性静电防护器件
( )
浙 江 大 学 学 报 工学版
第 卷第 期 Vol.51No.8
51 8
( )
年 月 JournalofZheian Universit Enineerin Science
j g y g g Au.2017
2017 8 g
: /
DOI10.3785 .issn.1008-973X.2017.08.026
j
基于双向可控硅的强鲁棒性静电防护器件
,
12 1 1 2
, , ,
张 峰 刘 畅 黄 鲁 吴宗国
( , ;
1.中国科学技术大学 信息科学技术学院 安徽 合肥 230026 2.中国科学院自动化研究所 国家专用集成电路设计
, )
工程技术研究中心 北京 100190
: ( ) ( ) , ( _ )
摘 要 针对双向可控硅 器件的静电放电 鲁棒性 提出在 阱中加入 注入区
DDSCR ESD N N+ DDSCR N+
( _ ) ,
和在 阱中加入 注入区 种改进型 结构 采用华润上华
N P+ DDSCRP+ 2 DDSCR 0.5 mBiolar-CMOS-DMOS
μ p
( ) , , ( )
工艺 分别制备传统 结构以及 种改进型 结构 通过半导体工艺及器件模拟工具
BCD DDSCR 2 DDSCR TCAD
, ; ( )
进行仿真 分析不同结构的电流密度和 ESD鲁棒性差异 流片后通过传输线脉冲测试 TLP方法测试不同结构
, _
防护器件特性 仿真和测试结果表明 改进型 结构在具有和传统 器件的相同的触发和维
ESD . DDSCRN+ DDSCR
,
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