反激变换器设计笔记开关电源的设计是一份非常耗时费力的.docVIP

第1章 反激变换器设计笔记 开关电源的设计是一份非常耗时费力的苦差事，需要不断地修正多个设计变量，直到性能达到设计目标为止。本文step-by-step 介绍反激变换器的设计步骤，并以一个6.5W 隔离双路输出的反激变换器设计为例，主控芯片采用NCP1015。 图 1 基于NCP1015 的反激变换器 1.1 概述 基本的反激变换器原理图如图 1 所示，在需要对输入输出进行电气隔离的低功率（1W～60W）开关电源应用场合，反激变换器（Flyback Converter）是最常用的一种拓扑结构（Topology）。简单、可靠、低成本、易于实现是反激变换器突出的优点。 1.2 设计步骤 图 2 反激变换器设计步骤 接下来，参考图 2 所示的设计步骤，一步一步设计反激变换器。 1. Step1：初始化系统参数 ------输入电压范围：Vinmin_AC 及Vinmax_AC ------电网频率：fline（国内为50Hz） ------输出功率：（等于各路输出功率之和） （1） ------初步估计变换器效率：η（低压输出时，η取0.7～0.75，高压输出时，η取0.8～0.85） 根据预估效率，估算输入功率： （2） 对多路输出，定义KL（n）为第n 路输出功率与输出总功率的比值： （3） 单路输出时，KL（n）=1. （范例）Step1：初始化系统参数 ------输入电压范围：90～265VAC ------电网频率：fline=50Hz ------输出： （主路）Vout1=5V，Iout1=1A； （辅路）Vout2=15V，Iout2=0.1A 则： ------预估变换器的效率：η=0.8 则： KL1=0.769， KL2=0.231 2. Step2：确定输入电容Cbulk Cbulk 的取值与输入功率有关，通常，对于宽输入电压（85～265VAC），取2～3μF/W； 对窄范围输入电压（176～265VAC），取1μF/W 即可，电容充电占空比Dch 一般取0.2 即可。 图 3 Cbulk 电容充放电 一般在整流后的最小电压Vinmin_DC 处设计反激变换器，可由Cbulk 计算Vinmin_DC： （4） （范例）Step2：确定输入电容 ------宽压输入，取2～3μF/W：Cbulk 取20μF 即可，实际设计中可采用15μF+4.7μF 的两个400V 高压电解电容并联。则：Cbulk=19.7μF。 ------计算整流后最小直流电压： 3. Step3：确定最大占空比Dmax 反激变换器有两种运行模式：电感电流连续模式（CCM）和电感电流断续模式（DCM）。两种模式各有优缺点，相对而言，DCM 模式具有更好的开关特性，次级整流二极管零电流关断，因此不存在CCM 模式的二极管反向恢复的问题。此外，同功率等级下，由于DCM模式的变压器比CCM 模式存储的能量少，故DCM 模式的变压器尺寸更小。但是，相比较CCM 模式而言，DCM 模式使得初级电流的RMS 增大，这将会增大MOS 管的导通损耗，同时会增加次级输出电容的电流应力。因此，CCM 模式常被推荐使用在低压大电流输出的场合，DCM 模式常被推荐使用在高压 小电流输出的场合。 图 4 反激变换器 对CCM 模式反激变换器而言，输入到输出的电压增益仅仅由占空比决定。而DCM 模式反激变换器，输入到输出的电压增益是由占空比和负载条件同时决定的，这使得DCM 模式的电路设计变得更复杂。但是，如果我们在DCM 模式与CCM 模式的临界处（BCM 模式）、输入电压最低（Vinmin_DC）、满载条件下，设计DCM 模式反激变换器，就可以使问题变得简单化。于是，无论反激变换器工作于CCM 模式，还是DCM 模式，我们都可以按照CCM模式进行设计。 如图 4（b）所示，MOS 管关断时，输入电压Vin 与次级反射电压nVo 共同叠加在MOS的DS 两端。最大占空比Dmax 确定后，反射电压Vor（即nVo）、次级整流二极管承受的最大电压VD 以及MOS 管承受的最大电压Vdsmax，可由下式得到： （5） （6） （7） 通过公式（5）（6）（7），可知，Dmax 取值越小，Vor 越小，进而MOS 管的应力