igbt的保护设计.pdfVIP

86755-2301 1090 IGBT 的保护设计 绝缘栅双极型晶体管IGBT 是由MOSFET 和双极型晶体管复合而成的一种器件，其 输入极为MOSFET ，输出极为PNP 晶体管，因此，可以把其看作是MOS 输入的达林顿管。 它融和了这两种器件的优点，既具有MOSFET 器件驱动简单和快速的优点，又具有双极型 器件容量大的优点，因而，在现代电力电子技术中得到了越来越广泛的应用。 在中大功率的开关电源装置中，IGBT 由于其控制驱动电路简单、工作频率较高、 容量较大的特点，已逐步取代晶闸管或GTO 。但是在开关电源装置中，由于它工作在高频 与高电压、大电流的条件下，使得它容易损坏，另外，电源作为系统的前级，由于受电网波 动、雷击等原因的影响使得它所承受的应力更大，故IGBT 的可靠性直接关系到电源的可靠 性。因而，在选择IGBT 时除了要作降额考虑外，对IGBT 的保护设计也是电源设计时需要 重点考虑的一个环节。 1 IGBT 的工作原理 IGBT 的等效电路如图1 所示。由图1 可知，若在IGBT 的栅极和发射极之间加上驱 动正电压，则MOSFET 导通，这样PNP 晶体管的集电极与基极之间成低阻状态而使得晶 体管导通；若IGBT 的栅极和发射极之间电压为0V，则MOSFET 截止，切断PNP 晶体管 基极电流的供给，使得晶体管截止。 图1 IGBT 的等效电路 由此可知，IGBT 的安全可靠与否主要由以下因素决定： ——IGBT 栅极与发射极之间的电压； ——IGBT 集电极与发射极之间的电压； ——流过IGBT 集电极－发射极的电流； ——IGBT 的结温。 如果IGBT 栅极与发射极之间的电压，即驱动电压过低，则IGBT 不能稳定正常地 工作，如果过高超过栅极－发射极之间的耐压则IGBT 可能永久性损坏；同样，如果加在 IGBT 集电极与发射极允许的电压超过集电极－发射极之间的耐压，流过IGBT 集电极－发 射极的电流超过集电极－发射极允许的最大电流，IGBT 的结温超过其结温的允许值，IGBT 都可能会永久性损坏。 2 保护措施 在进行电路设计时，应针对影响IGBT 可靠性的因素，有的放矢地采取相应的保护 措施。 2 ．1 IGBT 栅极的保护 86755-2301 1090 IGBT 的栅极－发射极驱动电压VGE 的保证值为±20V，如果在它的栅极与发射极 之间加上超出保证值的电压，则可能会损坏IGBT，因此，在IGBT 的驱动电路中应当设置 栅压限幅电路。另外，若IGBT 的栅极与发射极间开路，而在其集电极与发射极之间加上电 压，则随着集电极电位的变化，由于栅极与集电极和发射极之间寄生电容的存在，使得栅极 电位升高，集电极－发射极有电流流过。这时若集电极和发射极间处于高压状态时，可能会 使IGBT 发热甚