半导体激光照射时间对牙髓及牙本质影响的研究.pdfVIP

组引起的牙髓炎细胞浸润变化相差明显。应用于牙颈部脱敏照射参数： 80s、 210s、240s组，结果为500mW剂量照射时间应选为l 验分析300mw330s组和500mw21 统计学差异。 实验二：对照组牙本质表面形态正常，激光照射组牙本质小管1：3大 80s 结论： 物实验及离体牙实验研究，结论如下： 牙髓组织未产生破坏性损伤，并可以有效熔融牙本质，封闭牙本质小管， 牙本质未出现破坏性损伤。 牙髓组织未产生破坏性损伤，并可以有效熔融牙本质，封闭牙本质小管， 牙本质未出现破坏性损伤。 关键词：半导体激光 牙齿感觉过敏症 牙髓 牙本质 Laser ofSemiconductor ontheInfluence Study TimetowardsDenta