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一种改进的高精度低功耗过温保护电路
26 卷 第 2 期 微 电子 学 与 计 算 机 Vol . 26 No . 2
2009 年 2 月 M ICRO EL EC TRON ICS COM PU TER February 2009
一种改进的高精度低功耗过温保护电路
2 1 ,2 1 1 1 1
吴 俊 ,邹雪城 ,李思臻 ,鲁 力 ,杨诗洋 ,洪 毅
( 1 华中科技大学 超大规模集成电路与系统实验室 ,湖北 武汉 430074 ;
2 武汉集成电路设计工程技术研究中心 ,湖北 武汉 430074)
摘 要 : 为了防止芯片过热 ,提高芯片可靠性和稳定性 ,文中提出一种改进的高精度 、低功耗 ,具有迟滞功能 ,结构
简单的过温保护电路. 基于 J AZZ BCD 0 . 5μ p ectre 仿真器进行模拟验证 ,结果表
m 工艺库模型 ,采用 Cadence 的 S
明:当温度超过 140 ℃时 , 电路输出信号发生翻转 ,控制芯片停止工作 ; 当温度降至 118 ℃时 ,恢复芯片工作. 在电源
电压 VDD 工作范围2 . 9～6V 内,过温保护阈值变化量为 0 . 275 ℃,迟滞阈值变化量为 0 . 225 ℃. 典型工作状态下 , 电
路的静态电流为 46μ
A . 因此该电路适用于各种电源管理芯片.
关键词 : 过温保护 ;高精度 ;迟滞 ;BCD 工艺
中图分类号 : TN43 文献标识码 : A 文章编号 : 1000 - 7 180 (2009) 02 - 0 103 - 04
An Improved ThermalShutdown Circuit with High Precision
and Low Power Consumption
WU J un2 , ZOU Xuecheng1 ,2 , L I Sizhen1 , L U Li1 , YAN G Shiyang1 , HON G Yi1
( 1 Research Center for VL SI System , Huazhong Univ . Sci . Tech . , Wuhan 430074 , China ;
2 Research Center for Integrated Circuit Design , Wuhan 430074 , China)
Abstract : To avoid overheating and improve t he reliabilit y of t he chip , an improved ThermalShut down Circuit wit h high
precision and low power consumption is presented in t his p ap er . The proposed circuit features simplicit y and excellent p er
μ
formance wit h highprecision hysteresis. Implemented by J AZZ BCD 0 . 5 m technology , Sp ectre simulation shows t hat
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