高频感应加热法制备SrTiO3BLC半导瓷-东南大学学报.PDFVIP

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高频感应加热法制备SrTiO3BLC半导瓷-东南大学学报

第27 卷第6期 东 南 大 学 学 报 Vol. 27 No. 6   1997 年11月 JOURNAL OF SOUTHEAST UNIVERSIT Y Nov. 1997 SrT iO BLC 3 陈章其 汪云华 吴冲若 ( 东南大学电子工程系, 南京21 18) 采用真空高 感应加热法制备SrTiO 晶界层电容器半导瓷, 研究了掺杂材 3 料、掺杂量、烧结温度、保温时间、成型密度等对半导瓷性能结构的影响.所制备的半导 4 瓷经二次烧结成的 SrT iO BLC, 其视在介电常数K 3 ×1 , 损耗角正切tan≈ 3 eff 1 - 2, 绝缘电阻率 1 1 ·cm. SrT iO ; 半导体陶瓷; 高 感应; 晶界层电容器 3 6 4 TN SrT iO3 ( boundary layer capacitor, BLC) , 3 . , , SrT iO 2 2 ( N / H ) . SrT iO3 , , . 1 ( 1) 1 , , , . , , . : , ; , , ; , H2/ N2, . ( 2) 3 2 2 5 2 3 2 SrT iO T iO Nb O Al O SiO , 24 , , 115 , 2 . h h 7%( PVA) , 4 mm 1 mm , , . Pb O-Bi2O3 -B2O3 -CuO 11 3 , In-Ga , SrT iO BLC . ( 3) WGJ- 1 , ZL5 LCR : 1997- 6- 11, : 1997- 8- 26. 第6 期 陈章其等: 高 感应加热法制备SrT iO3 BLC 半导瓷 119 BLC , BLC ZC36 , ( SEM) . 2 2. 1Al2O3 , SiO2 , , 2 3 2 . 2 3 2 2 ( Al O SiO Al O SiO TiO AST ) , , , . AST , SiO2 [ 1] SrO 1358 . 1 2 3 2 Al O SiO , T i/ Sr

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