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2017-09-03 发布于上海
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flash存储器并行耐久测试方法 parallel endurance testing method for flash memories

MEASUREMENT＆TEsTME震黼NT＆皿。T V龄2前言5May，zuIo 甍德铲2016年5月 CHINAc删A Flash存储器并行耐久测试方法罗军，王小强，蔡志刚，孙宇，吕宏峰 (工业和信息化部电子第五研究所，广东广州510610) 摘要：传统闪存(nash)芯片耐久测试需要对整块芯片按扇区串行进行擦写测试，测试时间长、效率低、成本高，不利于其批量耐久测试和产业化发展。该文基于“资源换速度”的思想提出一种高效的nash存储器并行耐久测试方法。通过对多片nash芯片并行进行擦写测试，对不同芯片擦写不同扇区来提升其耐久测试效率，并进一步对耐久测试Flash芯片的不同扇区等效性进行分析，对等效性需要满足的条件和要求进行探讨。实验结果表明：并行耐久测试能有效缩短测试时间，其效率提升程度与并行测试的芯片数量成正比，加速测试结果与理论曲线符合较好。关键词：闪存；存储寿命；耐久测试；扇区等效性；并行测试文献标志码：A 文章编号：1674—5124(2016)05—0024一04 ParallelendurancemethodforFlashmemories testing LUO Jun，WANG Yu，LU Xiaoqiang，CAIzhigang，SUNHon出ng (CEPREI，Guangzhou，510610，China) endumncetestofFlash isunsuitableformassive of Abstract：TraditionaUy，the chips production nashmemoriesbecauseits se订al istime inemcient sector—by—sectorprocedureconsuming， and uneconomical．Tothetest methodhas emciency，a been inthis promote parallel proposed paper ofmulti—sectorsofdif亿rentnash atthe byusing chips sametime．Ithasbeenderivedf而mthe ideaoftradeoffbetweenresourceand resultsshowthatthe of usage speedup．Experimental speed endurancetestisacceleratedauldthe of isindirect tothe degreeemciencypromotion proportion number ofnash testresultswiththetheoreticalresults． chips．The tally lifetime；endurancetest； of test Keywords：Flash；meInory equivalencesectors；par