天津大学微电子学及固体电子学综合硕士生入学考试业务课程大纲.docVIP

天津大学微电子学及固体电子学综合硕士生入学考试业务课程大纲 天津大学微电子学和固体电子学综合硕士生入学考试业务课程大纲复试 第一部分： 半导体集成电路复试大纲（参加微电子学复试的考生参考） 一、 考试的总体要求 半导体集成电路是微电子技术专业的主干课程。本大纲包括晶体管原理、半导体集成电路。目的是考察考生对基本理论、基本知识、基本技能及分析问题和解决问题的能力。 二、 考试内容及比例 （一）晶体管原理（30%） 1.PN结 （1）PN接触电势差VBJ形成； （2）理想和实际二极管电流电压方程，非平衡清况电流随电压变化规律。 （3）PN结击穿机理。 2．双极晶体管直流特性 （1）晶体管中的电流传输 （2）晶体管电流增益 3．晶体管频率特性和瞬变特性 （1）晶体管交流特性理论分析 掌握混合 模型及各参数的意义 （2）共发射极短路电流放大系数及其截止频率 （3）晶体管开关时间 4．MOS场效应晶体管 （1）MOS场效应晶体管基本工作原理、类型。 （1）MOSFET的阈值电压定义、表达式、VBS的影响 （2）MOSFET的伏安特性 能够解释输出特性曲线，理解萨之唐方程的求解过程和适用范围；了解MOSFET的击穿机理。 （3）短沟道效应的定义和影响 （二）半导体集成电路（70%） 1．集成电路中的晶体管及其寄生效应 （1）集成双极晶体管的有源寄生效应 （2）集成电路中的PNP管 （3）肖特基势垒二极管和肖特基箝位晶体管 2．晶体管-晶体管逻辑（TTL）电路 （1）TTL和非门， （2）STTL 电路 3．发射极耦合逻辑（ECL）电路工作原理 4．MOS倒向器及其基本逻辑单元 （1）7.2 E/D反相器 （2）7.3 CMOS反相器 （3）7．5 动态反相器 （4）8．1 NMOS逻辑结构 （5）8.2 CMOS逻辑结构 （6）8.4 影响门的电气和物理结构设计的因素 （7）8.6传输门逻辑 （8）9．4 寄存器 5．模拟集成电路中的基本单元 （1）12.1．2 MOS管放大器 （2）12.2 恒流源电路 （3）12．3 偏置电压源和基准电压源电路 6．集成运算放大器 （1）13.1运算放大器的输入级 （2）13．2运算放大器的输出级电路 （3）13.3。1 741型通用集成运放 （4）13．4．4 CMOS集成运放 三、试卷题型及比例 1、简答题：30% 2. 论述题：45% 3. 计算、综合题：20% 4. 设计题：5% 四、考试形式及时间 笔试 考试时间1小时 五、主要参考材料 1． 《微电子技术基础-双极、场效应晶体管原理》，曹培栋编著，电子工业出版社 或《晶体管原理》，张屏英，周右谟编著，上海科学技术出版社 2．《半导体集成电路》，朱正涌编著，清华大学出版社 第二部分： 微电子学和固体电子学复试大纲（参加微电子学和固体电子学专业复试的考生参考） 一、考试的总体要求 本复试大纲包括薄膜电子技术、功能材料理论基础两门课程内容，是微电子学和固体电子学专业的主干课程。本课程的考试目的是考察学生对基本理论、基本知识、基本技能的掌握情况，考察学生分析问题解决问题的能力。 二、考试内容及比例 （一） 薄膜电子技术（70%） 1．薄膜的制备技术： 1)真空技术基础： 真空的获得，真空度的表征和检测， 2)物理气相沉积镀膜技术： 真空蒸发镀膜原理，蒸发特性及参数，合金及化合物蒸发。 溅射镀膜类型及原理、特点，溅射特性参数。 离子镀膜原理、特点。 3)化学气相沉积镀膜技术： 不同类型化学气相沉积镀膜方法原理及特点 （LPCVD，PECVD,MOCVD） 4)溶液镀膜法： 化学镀，溶胶-凝胶法，LB膜的制备原理。 2．薄膜形成理论： 1）薄膜的形成过程,薄膜的形成和生长形式。 2）薄膜的结构和缺陷： 薄膜的组织结构、晶体结构、表面结构，薄膜的缺陷及产生机理。 3．薄膜结构和化学组分检测方法： X射线衍射法，扫描电子显微镜法，俄歇电子能谱法， X射线光电子能谱法 （二）功能材料理论基础（30%） 1. 相律和相平衡的基本概念 2. 二元系统的杠杆规则和基本类型 （1）具有低共熔点的系统 （2）形成连续固溶体的系统 （3）形成不连续固溶体的系统 3. 固溶体 （1）置换型固溶体形成连续固熔体的条件 （2）填隙型固溶体 （3）固溶体的性质和研究方法 4. 烧结的理论基础 （1）烧结过程 （2）烧结的推动力 （3）影响烧结的因素 三、试卷题型及比例 1、 选择，填空题：10% 2、 简答题：30% 3. 论述题：45% 4. 综合题：15% 四、考试形式及时间 笔试 考试时间1小时 五、主要参考材料 1《薄膜物理和技术》，杨邦朝编著，电子科技大学出版社 2《功能材料理论基础》，自编教材 2010考试虫精讲考