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2017-09-03 发布于上海
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gan厚膜翘曲应力特性 stress property of deformation of gan thick film

第45卷第3期河北工业大学学报 2016年6月、，01．45No．3 JOURNALOFHEBEIUNIVERSITYOF June2016 TECHNOLoGY 文章编号：1007．2373(2016)03—0016—05 GaN厚膜翘曲应力特性李佳1，史俊杰2，刘辉昭1，李杰1，张蔷 (1河北l：业人学理学院，天津300401；2北京人学宽禁带半导体研究中心人：l：微结构和介观物理国家重点实验室物珲学院，北京100871) 摘要基于GaN厚膜在蓝宝石基底上外延生长过程中膜厚方向的晶格常数从界面到膜表面呈现弛豫特征的实验结果，建立了一个描述膜厚方向的正应变的力学模型，称为“弛豫模型”，进而计算和讨论了GaN膜边缘处的应力和应变沿膜厚方向的变化，GaN和基底界面处的应力在面内的变化以及中心处的应力和应变沿膜厚方向的变化．关键词GaN厚膜；蓝宝石；弛豫；应变；应力中图分类号TN30 文献标志码A Stress ofdeformationofGaNthickfilm property LIJial，SHI Huizha01，LIJiel，ZHANG Junjie2，LIU Qian91 (1．School ofSciences，HebeiUniversityofTechnology，Tianjin300401，China；2 and Centerfor 10087 Semiconductors，SchoolUniversity，BeOing1，China) MesoscopicPhysics，ResearchWide—Gap ofPhysics，Peking AbstraetBasedonthe resultsthatthelaUice thedirectionoffilmthicknessofGaNthick experimental parameteralong filmexhibitedrelaxationfeature the of establishedamechanicalmodelcalled”rela— duringprocessepitaxialgrowth，we xationmodel”toshowthenormalstrain thefilmthickness．Thenwecalculatedanddiscussedthevariationofstress along andstrain thefilmthicknessatthe oftheGaN variationofstressattheinterfaceof along edge film，the GaN—Sapphire of withthevariationof thevariationofstrainandstressatthecenteroffilmwiththevariation in—planecoordinate，and coordinatethefilmthickness．