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2017-09-03 发布于上海
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gan薄膜外延过程的动力学蒙特卡洛仿真 kinetic monte carlo simulation of gan epitaxy.pdf

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gan薄膜外延过程的动力学蒙特卡洛仿真 kinetic monte carlo simulation of gan epitaxy

2016年6月西安电子科技大学学报(自然科学版) Jun．2016 OF V01．43No．3 第43卷第3期 JOURNALXIDIANUNIVERSITY doi：10．3969／j．issn．1001—2400．2016．03．029 GaN薄膜外延过程的动力学蒙特卡洛仿真冯兰胜1，过润秋1，张进成2 (1．西安电子科技大学机电工程学院，陕西西安710071； 2．西安电子科技大学微电子学院，陕西西安 710071) 摘要：为更好研究GaN材料的生长机理，提出了一种在金属有机物化学气相淀积系统中生长GaN的化学反应生长模型，并结合动力学蒙特卡罗方法模拟了垂直喷淋式金属有机物化学气相淀积系统中GaN的生长过程．模拟结果表明，在垂直喷淋式金属有机物化学气相淀积系统中生长GaN时，首先发生加合反应，随着反应物逐步接近高温衬底，再转变为热解反应，最终生成GaN．GaN的生长速率随温度的升高而升高，而衬底的表面温度均匀性会直接影响最终材料的表面形貌．文中还在动力学蒙特卡罗方法中模拟了反应粒子在衬底表面的扩散和脱附过程，这些过程均主要受温度的影响，并影响材料的表面形貌和生长速率．关键词：GaN；动力学蒙特卡罗；反应模型；反应动力学中图分类号：TN204文献标识码：A 文章编号：1001—2400(2016)03一0167一05 KineticMonteCarlosimulationofGaN epitaxy FENG 2 L口咒s^P行g1，GUoR“，zqi“1，ZHANG．，i卵c^e行g of (1．SchoolMechan0_electmnic 71007l，China Engineering，XidianUniv．，Xi’an 2．SchoolofMicroelectronics，XidianUniv．，Xi’an710071，China) Abst瞰t：AchemicalreactionmodeaboutGaN inMOCvDis simulatethe epitaxy presented．We growth ofGaNinthe MOCVDonthismode theKMCmothod．Theresult pmcess vertical—spraysystem using showsthatadductivereaction occursatalower and reactionoccursata mostly temperaturepymlytic mostly the the rateincreaseswith featuredetermines hightemperature．Andgrowth increasingtemperature．This surface ofthematerial．Wealsoincludethediffusionand ofthereaction morphology de