h2气氛对采用mocvd 法在si 衬底上外延生长aln薄膜性能的影响 effect of hydrogen atmosphere on the properties of aln films epitaxially grown on si substrate by mocvd.pdfVIP

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2017-09-03 发布于上海
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h2气氛对采用mocvd 法在si 衬底上外延生长aln薄膜性能的影响 effect of hydrogen atmosphere on the properties of aln films epitaxially grown on si substrate by mocvd.pdf

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h2气氛对采用mocvd 法在si 衬底上外延生长aln薄膜性能的影响 effect of hydrogen atmosphere on the properties of aln films epitaxially grown on si substrate by mocvd

第卷第期材料研究与应用 , 10 　 1 　　　　　　 Vo1.10 No.1 2 0 1 6 年月3 MATERIALS RESEARCH AND APPLICATION Mar.20 1 6 文章编号: ( ) 1673-9981 2016 01-0010-06 气氛对采用法在衬底上外延 H2 MOCVD Si 生长AlN 薄膜性能的影响∗ , 1 1 1 1 1 2 , , , , 杨美娟林云昊王文樑林志霆李国强 , ; 1.华南理工大学发光材料与器件国家重点实验室广东广州 510640 , 2.华南理工大学广东省半导体照明与信息化工程技术研究中心广东广州 510640 : ( ) ( ) , 摘要采用金属有机化合物气相沉积法在衬底上外延生长薄膜用高分辨　 MOCVD Si 111 AlN X 、 , 射线衍射扫描电子显微镜和原子力显微镜对外延生长所得 AlN 薄膜的性能进行表征并研究了适量 : 的引入对薄膜的晶体结构和表面形貌的影响结果表明在衬底上外延生长薄膜过程中 H2 AlN . Si AlN , , , 引入适量 H2 有利于提高 AlN 岛间愈合程度薄膜表面缺陷减少表面粗糙度由4.0 nm 减少至 2.1 ; ( ) ( ) ( ) 适量的引入可使薄膜的和面的射线摇摆曲线的半峰宽值从 nm H2 AlN 0002 10-12 X FWHM , 0.7 °及 1.1 °分别减小到 0.6 °和0.9 ° 即刃型穿透位错密度和螺型穿透位错密度减少. : ; ; ; 关键词衬底薄膜 Si AlN H MOCVD2 中图分类号: 文献标识码: