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压电陶瓷性能及PZT制备工艺 王幸福 无机非金属材料工程 摘　要: 简单综述了压电陶瓷的性能及锆钛酸铅压电陶瓷制作方法,重点分析了锆钛酸铅压电陶瓷的掺杂改性的机理和作用。以及压电陶瓷PZT未来发展的前景。 关键词: 锆钛酸铅;制作方法。 引言 锆钛酸铅一Pb(Zr，Ti)03:(PZT)是一种具有多种应用功能的钙钦矿型ABO3结构铁电材料，是由铁电相PbTiO3(Tc=490℃)和反铁电相PbZrO3(Tc=230℃)组成的固溶体。PbZrO3一PbTiO3:系固溶体(PZT)相图中，在x约为0.52一0.53附近存在一个铁电四方相(FT)和菱形相(FR)的交界区，就是我们通常称之为的准同型相界(MPB)。在PZT的MPB上具有高的压电和介电特性，具有高的的居里温度，因此受到国内外相关研究者的广泛重视，使之成为迄今为止，应用最广的压电陶瓷材料。 一、PZT压电陶瓷结构特征及特点 1.1钙钛矿结构特征 PZT 陶瓷是指锆钛酸铅( PbZr x Ti1 - xO3 , PZT)陶瓷,它是ABO3 型钙钛矿(perovs kites) 结构,Zr ,Ti 处于氧八面体的中心,Pb 处于氧八面体的间隙。单元结构如图1 所示[1]。 1.2锆钛酸铅(PZT)结构特点 PZT压电陶瓷是属于钙钦矿结构的压电晶体。向PbTIO3:中掺入Zr形成锆钛酸铅(PZT)陶瓷材料，用途广泛。Ti与Zr在结构中呈完全类质同像，但Z/rTi比值不同使材料的结构也不同，在铁电四方和三方相界附近，PZT材料具有优良的压电、介电和热电性能。锆钛酸铅固溶体相图如图1.4所示[2]，在相变温度以下，当错/钦比z/rTi=53/47时，存在一条准同型相界。准同型相界的右边(富钦一边)为四方晶相，左边(富错一边)为三方晶相。实际上，准同型相界有一定的宽度范围，在此范围内，两相共存，数量关系遵从“杠杆定理”。 A0:反铁电斜方相，AT:反铁电四方相，F以HT:)铁电菱形相(高温) RF(TL:)铁电菱形相(低温)，FT：铁电四方相，Pc:顺电立方相 二、压电陶瓷的性能表征 2.1介电常数 介电常数反映材料的介电性质，或极化性质，通常用ε表示。不同用途的压电元件对压电材料的介电常数要求不同。介电常数ε与元件的电容C、电极面积A和电极间距离t之间的关系为： C=ε×A／t 式中：电容C(F)；介电常数ε(F/m)；电极面积A(m2)；电极间距离t(m)。 2.2介质损耗 介质损耗是包括压电陶瓷在内的任何电介质的重要品质指标之一。在交变电场下，电介质所积蓄的电荷有两种分量：一种为有功部分(同相)，由电导过程引起的；一种为无功部分(异相)，是由介质弛豫过程所引起的。介质损耗是异相分量与同相分量的比值。通常用tanδ(δ为同相分量与总电流的夹角)来表示电介质的介质损耗，称为介质损耗角正切值或损耗因子。介质损耗和交变电场的角频率，损耗电阻，介质电容之间的关系为： tanδ=1／(εCR) 式中：ε为交变电场的角频率；R为损耗电阻；C为介质电容。 2.3机电耦合系数 机电耦合系数k是综合反映压电材料性能的参数，它表示压电材料的机械能与电能的耦合效应，是生产上用得最多的一个参数。机电耦合系数定义为： k=输入的机械能／通过正压电效应而转化的电能 或 k=输入的电能／通过逆压电效应而转化的电能 由于压电元件的机械能与它的形状和振动方式有关，因此不同形状和不同方式所对应的机电耦合系数也不相同。机电耦合系数无单位。 2.4压电常数 压电常数是压电材料所特有的一种参数，它反映材料“压”与“电”之间的耦合效应。所以，压电常数不仅与机械边界条件有关，而且与电学边界条件有关；或者说，不仅与应力T，应变S有关，而且与电场强度E、电位移D有关。 由于选择不同的自变量，或者说由于测量时所用的边界条件不同，可以得到四组压电常数d、g、e和h，其中用得最多的是压电常数d。再考虑到压电陶瓷材料的各向异性，即可以得到它的四组压电常数： (1)d33，d31=d32，d24=d15 (2)g33，g31=g32，g24=g15 (3)e33，e31=e32，e24=e15 (4)h33，h31=h32，h24=h15 应该指出，这四组压电常数并不是彼此独立的，只要知道其中一组，即可求出其他三组。 PZT压电陶瓷的掺杂改性 由于PZT基压电陶瓷含有大量的铅,而氧化铅在烧结过程中易挥发,难以获得致密烧结体,同时又由于相界面附近体系的压电、热电性能依赖钛和锆的组成比,故较难保证性能的重复性,这给实际的制备与应用带来了一定的困难. 为了适应各种不同的用途和要求,国内外对PZT陶瓷进行了广泛的掺杂改性研究. PZT三、压电陶瓷的掺杂改性主要有以下几个方面: 3.1软性掺杂 这种掺杂是指La3 +