铌酸锂的性质及应用.docVIP

铌酸锂的性质及应用 一、晶体基本介绍 铌酸锂(LINbO3，LN)晶体是一种集压电、铁电、热释电、非线性、电光、光弹、光折变等性能于一体的多功能材料，具有良好的热稳定性和化学稳定性，可以利用提拉法生长出大尺寸晶体，而且易于加工，成本低，是少数经久不衰、并不断开辟应用新领域的重要功能材料。目前，已经在红外探测器、激光调制器、光通讯调制器、光学开关、光参量振荡器、集成光学元件、高频宽带滤波器、窄带滤波器、高频高温换能器、微声器件、激光倍频器、自倍频激光器、光折变器件(如高分辨的全息存储)、光波导基片和光隔离器等方面获得了广泛的实际应用，被公认为光电子时代光学硅的主要侯选材料之一。基于准相位匹配技术的周期极化铌酸锂 (PeriodieallyPoledLiNbO3，PPLN)，可以最大程度地利用其有效非线性系数，广泛应用于倍频、和频/差频、光参量振荡等光学过程，在激光显示和光通信领域具有广阔的应用前景，因而成为非常流行的非线性光学材料。 二、基本化学性质 铌酸锂晶体简称LN，属三方晶系，钛铁矿型(畸变钙钛矿型)结构LiNbO3，分子量为147.8456。相对密度4.3，晶格常数a=0.5147 nm，c=1.3856 nm，熔点1240，莫氏硬度5，折射率n0=2.797，ne=2.208(λ=600 nm)，界电常数ε=44，ε=29．5，ε=84，ε=30，次电光系数γ13=γ23=10×10m/V，γ33=32×10m/V．Γ22=-γ12=-γ61=6.8×10m/V，非线性系数d31=-6.3×10 m/V，d22=+3.6×10m/V，d33=-47×10m/V。铌酸锂是一种铁电晶体，居里点1140，自发极化强度50×10C/cm。经过畸化处理的铌酸锂晶体具有压电、铁电、光电、非线性光学、热电等多性能的材料，同时具有光折变效应铌酸锂晶体是一种电光晶体（r32=32mp/v）现已成为重要的光波导材料。用晶体制作光波导器件已有很长历史，技术最成熟。用晶体制作集成光学器件可用于光纤陀螺，其特点是精度高和稳定性好，成本低。光波导器件的特点：a.电光效应大b.制作波导的方法简单易行，性能再现性良好c.光吸收小d.损耗低，对波长依赖性小e.基片尺寸大。利用晶体的光折变性能可制作光学体全息存储器件。具体实现方法是采用两束光（一束为参考光，另一束作为全息光）在记录媒质中，形成光栅结构的衍射，全息图便被记录在晶体内，理论上存储容量高达1012一 1013 bits/cmsup3;。晶体居里点高，压电效应强（d15＝7.8*10 –11C/N），机电耦合系数高0.68 ； 频率常数2400－3560Hz*m。在制作喷气机压力加速度计，钻探用压力传感器，大功率换能器，军方使用的声纳技术等领域已被广泛应用。南京大学的闵乃本院士等在晶片上制作出周期性交替变化的正负铁电畴（），构成超晶格材料。亦可应用于声学领域，例如，用已制作出几百至几千兆的谐振器和滤波器在外加电场的作用下，晶体的折射率光吸收和光散射特性发生了变化，由此而产生的效应称为电光效应当晶体折射率的改变与所加电场成正比时，即电场的一次项 ，这种电光效应称为线性电光效应，由Pokels于 1893年发现，也称为Pokels效应，一般发生于无对称中心晶体中，该效应是电光调制的基础。当晶体折射率的改变与所加电场强度的平方成正比时，即电场的二次项 ，这种电光效应由Kerr在 1875年发现，称为二次电光效应或称为Kerr电光效应，二次电光效应存在于一切晶体中。对LiNbO3晶体来说，线性电光效应比二次电光效应显著的多，因此调制器主要利用其线性电光效应进行调制。 铌酸锂电光调制器的工作原理简单的描述为，当晶体特定方向施加电场作用时，由于电光效应导致晶体折射率的改变，继而引起晶体中传输光波的额外相位变化，从而达到调制光波的目的。 常见的电光强度调制器是马赫-曾德尔(MZ)调制器，光波在光波导中传输至第一个3dB耦合器处，光波被分成相等的两路，光波在每个支路路分别通过光波导传送至第二个3dB耦合器处，两列波最后相干叠加。