不同靶基距下凹槽表面hipims法制备钒膜的微观结构及膜厚均匀性 microstructure and thickness uniformity of vanadium films on concave object at different target-substrate distance by hipims.pdfVIP

表面技术 第45 卷 第 7 期 ·122 · SURFACE TECHNOLOGY 2016 年07 月 膜层材料与技术 不同靶基距下凹槽表面 HIPIMS 法制备钒膜的微 观结构及膜厚均匀性 1,2,3 2 2 4 李春伟 ，田修波 ，巩春志 ，许建平 （1.东北林业大学 工程技术学院，哈尔滨 150040；2.哈尔滨工业大学 先进焊接与连接国家重点 实验室，哈尔滨 150001；3.东北林业大学 林业工程博士后流动站，哈尔滨 150040；4.黑龙江工 程学院 材料与化学工程系，哈尔滨 150050） 摘 要：目的 研究不同靶基距对高功率脉冲磁控溅射（HIPIMS ）在凹槽表面制备钒膜微观结构和膜 厚均匀性的影响，实现凹槽表面高膜层致密性和均匀性的钒膜制备。方法 采用HIPIMS 方法制备钒膜， 在其他工艺参数不变的前提下，探讨不同靶基距对凹槽表面钒膜相结构、表面形貌及表面粗糙度、膜 层厚度均匀性的影响。采用XRD 、AFM 及 SEM 等观测钒膜的表面形貌及生长特征。结果 随着靶基 距的增加，V(111) 晶面衍射峰强度逐渐降低。当靶基距为12 cm 时，钒膜膜层表面粗糙度最小，为0.434 nm 。相比直流磁控溅射（DCMS ），采用HIPIMS 制备的钒膜呈现出致密的膜层结构且柱状晶晶界不清 晰。采用HIPIMS 和DCMS 方法制备钒膜时的沉积速率均随靶基距的增加而减少。当靶基距为8 cm 时， 采用HIPIMS 方法在凹槽表面制备的钒膜均匀性最佳。结论 采用HIPIMS 方法凹槽表面钒膜生长的择 优取向、表面形貌、沉积速率及膜厚均匀性均有影响。在相同的靶基距下，采用 HIPIMS 获得的钒膜 膜厚均匀性优于DCMS 方法。 关键词：高功率脉冲磁控溅射；靶基距；钒膜；微观结构；厚度均匀性 中图分类号：TG174.444 文献标识码：A 文章编号：1001-3660(2016)07-0122-06 DOI ：10.16490/j.cnki.issn.1001-3660.2016.07.021 Microstructure and Thickness Uniformity of Vanadium Films on Concave Object at Different Target-Substrate Distance by HIPIMS 1,2,3 2 2 4 LI Chun-wei , TIAN Xiu-bo , GONG Chun-zhi , XU Jian-ping (1.College of Engineering and Technology, Northeast Forestry University, Harbin 150040, China; 2.State Key Laboratory of Advanced Welding and Joining, Harbin Institute of Technology, Harbin 150001, China; 3.Post-doctoral Mobile Research Station of Forestry Engineering, Northeast Forestry University, Harbin 150040, China; 收稿日期：2016-03-28 ；修订日期：2016-07-01 Received ：2016-03-28 ；Revised ：2016-07-01 基金项目：中央高校基本科研