RFMEMS的新进展-赵正平-csiadd.PPTVIP

RF MEMS的新进展 赵正平 中国电子科技集团公司 2010年7月 RF MEMS走向成熟 上世纪90年代中期RF MEMS诞生 低损耗;0.1-0.2dB,低开态电阻：0.1-0.2欧，低关断电容：2-16fF,高隔离低功耗 高线性：优于20-50dB 高Q值：50-400，2-100GHz 大的RF电压摆幅：30-50Vrms 高的功率承载能力：1-10W 一 RF MEMS 开关 三 微机械谐振器 DC-40GHz单晶硅RF MEMS开关Adam Fraehling,etal,IMS 2009.p1633 单晶硅无缺陷,易重复,适合量产.插损0.3db,隔离30db,开关键时间4us. 快速RF MEMS 开关设计移相器Benjamin Lacroix,etal,EMC 2008,p1505 减小开关面积:40um*40um,25v趋动,开关时间 1us. 20GHz,90,180度移相器:插损0.8db,1.8db, 回波损耗-13db,-11db. 亚微秒RF MEMS 开关电容Balaji Lakshminaravanan,etal,2007MTTS, 小开关电容,单金属臂,双偏压,30V趋动,5V维持,小电流. 电容比5.2,20GHz-70GHz,开关时间0.8us. 10GHz,1W热开关,10亿次. 钨钛 RF MEMS 开关S.Klein,etal,Transducers 2009.p1409. 钨钛合金臂,适应高温400度工艺.高开态,低插损,金属间 电容偶合.20-36GHz,插损0.6db,隔离15db. 低应力低驱动电压RF MEMS 开关King Yuk Chan.etal,2009, CWP技术使尺寸小形化,结构:一 中心梁,四边弹簧,两锚点.梁上有凹槽 加强.弹簧波纹状,弹性常数小于梁. DC-40GHz,插损0.4-0.7db,隔离30db 钼薄膜RF MEMS开关C.Goldsmith,et al.,IMS 2009 150度C,动作电压随温度变化 率小于0.03V/C,开关试验大于 200亿次 肖特基势垒RFMEMS开关Brandon Pillans,at al.,Jon.MEMS.2008 正偏电压时，开关复合缺陷电荷，延长开关寿命，100亿次未失效 GaAs RF MEMS-MMICR.Malmqvist,et al.,2009 EuMA 标准GaAsMMIC工艺中集成RFMEMS, DC-30GHz,插损0.2-0.4dB 35GHz,1bit移相器，15.9GHz- 19.2GHzLNA,DC-27GHzDPDT 三步高Q可变MEMS电容Nino Zahirovic,et al.,2009 EuMA 动作电压小于12V,调谐频率达10GHz,自谐振频率达24GHz,电容比3：1 圆盘式可变MEMS电容Isak Reines.et al.,2009 IMS 电容变化11.22-17.49pF,0.1-2GHz,Q:50, 低串联电感，可组成可变电容阵列 折叠梁可变MEMS电容T.Nagona,et al.,2008IEEE ALN压电薄膜，工作电压+/-3V，最大电容1.5pF,八级步长，每步0.13-0.16pF,Q值 40 RF MEMS 可调谐电容 电感 调谐范围220%,Q 115,1GHz 轮形抗振,10g,电容变化1% 0-4v,6GHz-3.5GHz 用于振荡器的微机械谐振器 折叠梁梳齿 端固定伸缩梁 边自由点支撑 方形体声 酒杯/盘式体声 环/方ALN FBAR 水平摸式压电MEMS谐振器B.P.Harrington,et al,.2009Transducers. 减少支撑系链中声能的损耗，提高Q值 115MHz,真空下Q值达18000 硅外延封装体摸式MEMS谐振器Kuan-Lin Chen,et al.,2009 IEEE 和CMOS集成相兼容的硅外延真空封装工艺，谐振频率207MHz，Q值6400， f*Q乘积达1.2*10E12 多晶硅环型MEMS谐振器M.Ziaei-Moayyea,et al,.2009Transducers. 2.5um厚多晶硅，五次谐振频率1.95GHz, 室温空气下Q值达8000 多晶硅棒型MEMS谐振器Dana Weinstein,et al,.2009Transducers. 优化介质层厚度和位置，高次谐振6.2GHz,Q值427