低噪声双环路压控振荡器的设计-微电子学.PDFVIP

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2017-09-06 发布于天津
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低噪声双环路压控振荡器的设计-微电子学

第卷第期微电子学 , 45 3 Vol.45 No.3 年月 2015 6 Microelectronics Jun.2015 췍췍췍췍췍췍췍췍췍췍췍췍췍췍췍췍췍췍췍췍췍췍췍췍췍췍췍췍췍췍췍췍췍췍췍췍췍췍췍췍췍췍췍췍췍췍췍췍췍췍 低噪声双环路压控振荡器的设计 , , , 路小龙高博龚敏薛兵 ( , ) 四川省微电子技术重点实验室成都 610064 : , 。摘要基于工艺库设计了一款低噪声差分型双环路压控振荡器针 SMIC65nmCMOSRF , , ; 对振荡器中的延迟单元引入 PMOS交叉耦合正反馈技术以提高输出波形的摆幅采用Maneatis , ; , 负载结构改善输出波形的对称性利用次级延迟环路输入 MOS管的开关作用减小振荡周期中 , 。 , PMOS管的沟道热噪声对输出节点的影响以提高相位噪声性能后仿真结果表明在 1.2V电 , , , 源电压下可控电压调节范围为0.1~0.7V时输出频率调谐范围为3.8~1.63GHz在振荡频率 / , 为处的相位噪声为在处的相位噪声为 3.8GHz -100.4dBcHz@1MHz 1.63GHz -103.5 / , 。 dBcHz@1MHz功耗为13.2mW : ; ; ; 关键词压控振荡器结构双环路相位噪声 Maneatis 中图分类号: 文献标识码: 文章编号: ( ) TN432 A 1004-3365201503-0315-05 DesinofaLowNoiseDual-Loo Rin VCO g p g , , , LUXiaolon GAOBo GONGMin XUEBin g g (