HXADCJL单晶炉软件使用说明书.docVIP

HX-ADC-JL90 型单晶炉电气控制系统 软件说明书 HX-ADC-JL 11-05-01 西安恒新自动控制有限公司 2011年05月 通讯地址：西安市电子西街3号生产力大厦7层A区 邮编：710065 联系电话：(029)88296252 传真：(029)使用须知 本说明书专为HX-ADC-JL 型单晶炉的用户所编写，要熟悉操作HX-ADC- JL 单晶炉，除了本使用手册外，用户还应熟知HX-ADC-JL单晶炉的机械使用说明书。 对于说明书中没有涉及到的问题或应用户要求专门设计的使用细节，用户应以我们提供的电气图纸资料及培训资料为准。 本说明书只对公开的用户须知部分进行描述，对于用户拉晶工艺参数的特殊要求，我们负责对用户的拉晶工艺参数保密，而不在使用说明书中描述详细的工艺参数及细节。 本手册的所有版权归所有。其全部或者部分文档或附加的软件，在没有的书面允诺之前不得以任何形式复制或者拷贝。 控制系统操作页面简介 1 一．晶体生长主界面（主界面 F1） 1 二．晶体生长控制器界面（CGC F2） 18 三．晶体生长速度系统界面（速度系统 F3） 21 四．晶体生长温度系统界面（温度系统F4） 25 五．晶体生长CCD系统界面（CCD F5） 27 六．系统数据记录界面（数据记录 F6） 28 七．退出系统界面（EXIT ） 30 控制系统操作界面简介 晶体生长过程的参数设置、操作过程控制显示及系统参数由HX-ADC晶体生长控制系统柜上工业式计算机实现。计算机HMI（人机界面）采用15液晶触摸屏，可直观显示拉晶全过程，操作简单明了。通过显示画面的切换及相关操作来完成操作过程，控制系统的参数曲线方式进行显示保存 操作人员通过操作界面来控制炉体各单元及晶体生长的过程。系统通电运行后自动进入晶体生长主界面 F1 其余界面可通过触摸屏幕下方的相应按键调出，也可通过键盘上 F2-F6 调出。 晶体生长主界面（主界面 F1） 晶体生长控制系统的主界面。可直观显示晶体生长过程中单晶生长系统主要运行参数及设备的运行状态，其操作画面如下图所示。 （注：在每次系统上电后系统自动进入晶体生长主界面。也可在其它界面下通过触摸屏幕下方的【主画面 F1】键调出主界面.） 界面说明： 上标题栏从左至右分别是：软件版本号 下标题栏从左至右分别为：F1-F6界面切换按键。 界面中间部分为系统的运行参数及状态： 左侧是系统主要运行参数，由上至下分别是，晶体信号坩埚位置信号 主画面中为设备当前运行状态的直观显示，晶升上下限位，埚升上下限位，主泵电流，液压系统S1、S2限位，MFC V1、V2、V3充气阀开关，水系统状态及当前水压，晶体直径显示及晶体重量显示（根据直径估算），主室阀电源开关，副室阀电源开关。 注：主室阀与副室阀电源需在球阀完全关闭的状态下关闭，以免在炉室内真空的状态下造成倒吸。 右侧是过程控制状态及操作按键。 界面说明： 该界面为投入自动控制界面，选择当前所需要的控制过程然后投入相应的自动控制程序。 控制程序有以下步骤：真空测试，加热，人工操作1，引细颈，放肩，收肩，等径，收尾，人工操作2，冷却，人工操作3。 “系统参数设置”是晶体生长控制系统的控制参数设置界面。 点击“系统参数设置”后再点击“真空测试”进入如下界面： 界面说明： 在此界面中，可根据需要设置自动抽空步骤和检测单晶炉泄漏率。 极限真空：设定在一定时间内，将主室真空阀打开到要求的开度，抽空设定时间内，如果达到预先的真空设定值，则自动进入自动检漏过程，否则将进行两次充气过程，重新抽空。 泄漏率：达到设定稳定时间后开始计时检漏，如果炉体泄露率能达到目标泄露率，系统自动进入预备加热过程。 预备加热：等泄露率达到指标后，系统按照设定打开主室阀，充氩气使得炉内压力达到设定的真空值。 真空测试状态栏内，显示极限真空及泄漏率检测结果。 点击“加热”进入如下界面： 界面说明： 在此界面中，可根据需要设置自动加热过程曲线及加热稳定状态。 加热曲线：设定在不同的时间段内加热系统所输出的功率，加热时间为各时间段的累计加 热时间。 加热稳定：加热化料结束后，根据设定SP自动寻找引径温度，开环稳定一定时间后自动进入闭环稳定过程。（注：在此需要限制加热功率输出的最大值。） 点击“引晶”进入如下界面： 界面说明： 在上述界面中，需要设置缩颈控制参数和自动引颈控制参数及报警保护设置。 绿色状态指示灯亮表示该设置在自动引颈过程中参与控制，绿色状态指示灯熄灭表示该设置在自动引颈过程中不参与控制(HX-ADC-JL150单晶炉控制系统目前无校正晶位，预热，下种功能。所以校正晶位