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聚噻吩修饰纳米结构TiO2膜电极光电性能研究-河北科技大学学报
28 1 Vol. 28, No . 1
2007 3 Journal of Hebei University of Science and T ec nology Mar . 2007
: 1008-1542( 2007) 01-0014- 05
T iO2
1 2 1
王 伟 , 商艳平, 郝彦忠
( 1. 河北科技大学理学院, 河北石家庄 050018; 2. 石家庄制药集团维生药业, 河北石家庄 050035)
: 用光电流作用谱光电流- 电势图等光电化学方法研 了聚噻吩( PT ) 膜和纳米结构
2 2
TiO / 聚噻吩( ITO/ T iO / PT ) 复合膜的光电转换性质结果表明, PT 膜的禁带宽度为2. 02
eV, 价带位置为- 5. 86 eV , 导带位置为- 3. 84 eV 在 IT O/ TiO2/ PT 复合膜电极中存在 p-n 异
质结, 在一定条件下异质结的存在有利于光生电子- 空穴对的分离, PT 修饰IT O/ TiO2 电极可使
光电流产生波长发生明显红移, 从而提高了宽禁带半导体的光电转换效率在实验条件下, 单色光
的光电转换效率最高可达到13%
: 纳米结构T iO2 / PT 电极; 光电化学; 聚噻吩
: O644 : A
Study on p oto voltaic conversion properties of t e PT -modified
nanostructured T iO2 film electrode
1 2 1
WANG Wei , SHANG Yan-ping , HAO Yan-z ong
( 11 College of Sciences, H ebei University of Science and Tec nology , S ijiaz uang H ebei 050018, C ina; 2. Weis eng P arma-
ceutical Com pany Limited, S ijiaz uang P armaceut ical Group, S ijiaz uang H ebei 050035, C ina)
Abstract: T e p oto voltaic conversion properties of polyt iop ene film and nanostructured T iO / PT film elect rode were
2
studied by using t e p otocurrent action spectra, t e p otocurrent dependence of pot ential and UV-vis absorption spectra. T e
bandgap of PT film is 2.02 eV, t e conduction band of PT film is - 3. 84 eV, and t e valve band is- 5. 86 eV .T
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