输出高电平-read.pptVIP

第一节 标准TTL与非门 第二节 其它类型TTL门电路 第三节 ECL逻辑门电路 第四节 I2 L逻辑门电路 第五节 NMOS逻辑门电路 第六节 CMOS逻辑门电路 第七节 逻辑门的接口电路 3. CMOS异或门 A=B=0：TG断开，则C=B=1，F=C=0。 A=B=1：TG接通，C=B=1，反相器2的两只MOS管都截止，输出F=0。 ? 输入A、B相同 其它类型的CMOS门电路 （三）CMOS门电路 结构：由三个CMOS反相器和一个CMOS传输门组成。 反相器1 反相器2 反相器3 ? 输入A、B不同 A=1，B=0：TG通，F=1； A=0，B=1：TG断，F=1。 结论：电路实现异或逻辑功能。 0 0 1 1 0 传输门的控制信号和反相器2的供电信号A、A CMOS门电路的改进型 CMOS 4000系列IC虽然以其低功耗、高抗干扰能力等独特的优点和完整的系列产品，受到用户的普遍欢迎，发展也相当迅速，但是它的工作速度低，应用范围受到一定限制。 在CMOS 4000系列IC基础上的改进型电路有高速CMOS和双极型CMOS电路，这两种改进型CMOS集成电路的出现是CMOS集成电路最重要的突破，改进型的CMOS集合了CMOS和TTL的优点。 CMOS门电路的改进型 （一）高速CMOS门电路 CMOS 4000系列集成电路于60年代开发，70年代逐步完善，由于受到当时工艺条件的限制，该系列用金属栅工艺制造，因此在MOS管各极之间存在着较大的寄生电容，这些寄生电容的存在降低了MOS管的开关速度。 寄生电容 4000系列 高速CMOS系列 C1 0.25pF 0.1pF C2 0.12pF 0.05pF C3 0.37pF 0.15pF C4 0.66pF 0.31pF C5 0.54pF 0.22pF 高速CMOS电路从工艺上作了改进：1. 采用硅栅工艺制造；2. 尽可能地减小沟道的长度；3. 缩小MOS管的尺寸。使高速CMOS的寄生电容减小，高速CMOS的开关速度达到标准4000系列的8～10倍。 高速CMOS有三种系列： HC系列：输入和输出都是CMOS电平，有输出缓冲级。 HCT系列：输入是TTL电平，输出是CMOS电平，且有输出缓冲级。 HCU系列：输入和输出都是CMOS电平，无输出缓冲。 多数产品集中在前两个系列中，HCU系列的产品较少。 CMOS门电路的改进型 （一）高速CMOS门电路 高速CMOS系列电路具有以下特点： 1. 有简单门到大规模集成电路的全系列产品； 2. 器件功能、器件引脚与TTL 74系列相同； 3. 电源电压和工作温度范围宽，功耗低，噪声容限高； 4. 高速CMOS门的典型传输延迟为8～11.5ns，与TTL基本相同，比CMOS 4000系列提高一个数量级； 5.相邻输入端之间电流耦合小，有助于在交通或重工业噪声环境中使用。 CMOS门电路的改进型 （一）高速CMOS门电路 Bi-CMOS电路特点：采用CMOS电路实现逻辑功能，采用驱动能力强的TTL电路实现输出级。 Bi-CMOS性能特点：具有CMOS电路的低功耗，同时具有TTL输出电阻低、负载能力强、传输延迟时间短等特点。 CMOS门电路的改进型 （二）双极型CMOS门电路（Bi-CMOS） 1. Bi-CMOS非门 CMOS门电路的改进型 （二）双极型CMOS门电路（Bi-CMOS） 组成：T1和T3是驱动管，T5和T6是输出管，T2和T4分别是T5和T6基极的下拉负载管，形成有源负载。CL为负载电容。 输入高电平：T2、T3和T6导通，T1、T4和T5截止，输出低电平。 输入低电平：T1、T4和T5导通，T2、T3和T6截止，输出高电平。 输入与输出之间实现非逻辑。 0 1 1 1 0 0 2. Bi-CMOS与非门 CMOS门电路的改进型 （二）双极型CMOS门电路（Bi-CMOS） A、B中有低电平：输出高电平。 A、B全为高电平：输出低电平。 输入与输出之间实现与非逻辑。 A、B中有低电平：设B为低电平，则T4、T7导通，则T8导通、T9截止，输出高电平。 0 1 0 1 1 A、B全为高电平： T2和T5导通，T7截止，因此T8截止、T9导通，输出低电平。 1 1 1 0 0 3. Bi-CMOS或非门 CMOS门电路的改进型 （二）双极型CMOS门电路（Bi-CMOS） A、B全为低电平：则T1和T4导通，且T7导通，使得T8导通、T9截止，输出高电平。