2在恒定电场作用下电子及运动.pptVIP

见黄昆书5.2节p245 本节以一维紧束缚近似下能带论的结果为例，进一步讨论晶体中电子在恒定外电场作用下的运动规律，以加深对Bloch 电子的理解。 在 k 空间中的运动图象 在实空间中的运动图象 7.2 在恒定电场作用下电子的运动 一维紧束缚近似： ?i 为某原子能级。设 J1 0，则 k＝0 点为能带底； k＝??/a 为能带顶。 在能带底 k = 0 和能带顶 k= ??/a 处，电子速度 v(k)=0； 而在 k= ??/2a 处， v(k)分别为极大和极小。 一维紧束缚近似下的 E(k), v(k), m*随 k 值的变化如上图。图中只画出一个能带，且只是绘出第一布里渊区。从图中明显看出在带底和带顶处，电子速度为零。中间有极大和极小值，带底处：m*0，带顶处：m*0，中间处 m*→±∞。 我们从该图出发讨论恒定电场作用下电子的运动。 在准经典运动中，电子在同一能带中运动。因此，电 子在 k 空间中的匀速运动意味着电子的能量本征值沿 E(k) 函数曲线周期性变化，即电子在 k 空间中做循环运动。 可从下页布里渊区图来理解。 一. 在 k 空间中的运动图象 当有电场加在固体上时，固体中的电子被加速，在 k 空间研究它的运动是很方便的。若沿 –x 方向加一恒定电 场 ?，则电子受到的力： F = e? 沿 +x 方向。 由于： ， 得. 这表明电子在 k 空间中做匀速运动。 见黄昆书p247 电子在 k 空间的匀速运动，意味着电子的本征能量沿E(k) 函数曲线周期性变化，当电子运动到布里渊区边界 处， 由于 和 相差一个倒格矢 ，实际代表同一 状态，所以电子从 移出等于又从 移进来。形成 循环运动。 电子在 k 空间的循环运动，表现在电子速度上是 v 随时间 的振荡变化，假设 t = 0 时，电子处在带底，k =0，m*0， 外力作用使电子加速，v 增大，当到达 时， m*→∞，速度 v 到达极大，k 超过该点后，m* 0，外力作 用使电子减速，直至 时，速度为零，这时电子处 于带顶，m* 0，外力使电子反向运动，并在 达到反向速度的极大值，k 超过该值后，m*0，使反向速 度减小，直至 k = 0 处，v = 0。这就是在恒定外场作用下 速度的振荡。（见前面图） 二. 在实空间中的运动图象 E x ?=0 E x ? 受电场作用，能带倾斜 电子速度的振荡，意味着电子在实空间（坐标空间）的振荡，因为 E(k) 表示的是电子在周期场中的能量本征值，当有外电场时，会附加一个静电位能 ,使能带发生倾斜，如图所示。 A B C 电子速度的周期性振荡也就是电子在实空间中的振荡。设 t = 0 时电子在较低的能带底 A 点，在电场力的作用下，电子从（能 带底）A?B ?C（能带顶），对应于电子从k = 0 运动到 在 C 点电子遇到能隙，相当于存在一个势垒。在准经典运动 中，电子被限制在同一能带中运动，因此电子遇到势垒后将全 部被反射回来，电子从C?B ?A，对应于k=–π/a到 k = 0的运 动，完成一次振荡过程。 电场作用下，电子在实空间的运动示意图（黄昆书p248) 有两点必须指出： 上述的振荡现象实际上很难观察到。由于电子在运动过程中不断受到声子、杂质和缺陷的散射，若相邻两次散射（碰撞）间的平均时间间隔为τ，如果τ很小，电子还来不及完成一次振荡过程就已被散射。而电子完成一次振荡所需的时间为： 为了观察到电子的振荡过程，要求 ? ? T。在晶体中，? ? 10－14 s，a ? 3×10－10 m，由此可估算出若要观察到振荡现象，需加的电场? ? 2×105 V/cm。对金属，无法实现高电场；对绝缘体，将被击穿。 注：一般情况 T ~ 10-5s，τ～10-14s，一个周期内碰撞 109次！？ 振荡现象完全被“冲掉”了 2. 在准经典运动中，当电子运动到能隙时，将全部被 反射回来。而根据量子力学，电子遇到势垒时，将 有一定几率穿透势垒，而部分被反射回来。电子穿 透势垒的几率与势垒的高度（即能隙Eg）和势垒的 长度（由外场决定）有关。 对于绝缘体或导电很差的半导体，材料内部会建立很强的电场，导致电子的带间隧穿，称为电击穿，或者齐纳击穿。 相应于电场产生电击穿，强磁场也会造成磁击穿。 在有静电场存在时，Bloch电