2013年硅材料试题修正版.docxVIP

2014~2015学年度第一学期光伏专业硅材料检测期末模拟试题卷三题1一般X射线大致具有的性质感光作用，荧光作用，电离作用，穿透能力强，X射线的折射率近似等于1，衍射作用。2氧和碳在硅晶体中都呈螺旋纹状分布。3自然界存在的水(江水，河水，湖水)称为天然水。4目前国内外导电类型测量有两种温差电动势法，整流效应法。5电阻率是半导体单晶重要电学参数之一，它反映了补偿后的杂质浓度，与半导体中的载流子浓度有直接关系。6四探针法测试，C的大小取决于四探针的排列方式和针距。7非平衡载流子的寿命ζ，就是反映复合强弱的参数。8目前常用的测量非平衡半导体晶体载流子寿命表的方法，一般可分为两大类，瞬态法(直接法)，稳态法(间接法)。9快速腐蚀时一般不受光照影响，而慢速腐蚀时光照影响比较大。10半导体晶体缺陷可以分为宏观缺陷和微观缺陷，以及点阵应变和表面机械损伤。11电阻率条纹上没有微缺陷蚀坑，宏观上看不见小白点，腐蚀面为镜面，这是漩涡花纹和电阻率条纹最重要的区别。12金相显微镜光学系统，照明系统，机械系统几部分构成。13硅单晶的导电类型是一个重要的基本电学参数。根据单晶制备时所参杂的元素，它们是三价的还是五价的，可以将单晶化分为P型和N型两大类。14导电类型测量的具体方法冷热探笔法，三探针法，四探针法，15在晶体学上，选取与宏观晶体有同样对称性的平行六面体来作为晶胞，它构成体的最小单位。16晶体中最邻近的两个平行晶面间的距离称为晶面间距，晶面指数最低的晶面总是具有最大的晶面间距。17当任何一种高速运动的带电粒子与一块金属物质相撞时，都会产生X射线。18目前测定硅单晶中的氧，碳含量最常用的方法红外吸收法。19光电导衰退法是目前应用最广的方法，它有高频光电导和直流光电导之分。20测出的就是点接触外表面的导电类型。要求表面无反型层，无氧化层，清洁无油污。21硅半导体的导电过程存在电子和空穴两种载流子。22半导体材料的电阻率与载流子的浓度，以及载流子迁移率有关。一题 １．用冷热探笔法测量半导体时，冷端带正电，热端带负电。 （A ）Ａ．P型Ｂ.N型Ｃ.PN型Ｄ.以上皆不是２．　　是影响硅器件成品率的一个重要因素，也是影响器件性能的稳定性和可靠性的重要因素。　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　（D　）Ａ．点缺陷　　 Ｂ．线缺陷Ｃ．面缺陷　　Ｄ．微缺陷3.光图定向法结果直观，操作　　，误差　　。　　　　　　　　　　　　　（A　）Ａ．简单　较大　　Ｂ．复杂　较大Ｃ．简单　较小　　 Ｄ．复杂　较小4.悬浮区熔法检验多晶硅中基磷含量时，采用快速区熔法的工艺时，第一次区熔时，第一区熔区停留挥发时间　　左右。　　　　　　　　　　　　　　　　　　　（D　）Ａ．３ｍｉｎ　　　Ｂ．５ｍｉｎＣ．７ｍｉｎ　　　Ｄ．１０ｍｉｎ5.失效表明离子交换树脂可供交换的　　大为减少。　　　　　　　　　　　（C　）Ａ．Ｃｌˉ　　　Ｂ．Ｎａ　　　Ｃ．Ｈ﹢和ＯＨˉ　　　Ｄ．Ｃａ6.下列哪一项不是天然水的三大杂质？　　　　　　　　　　　　　　　　　（B　）Ａ．悬浮物质　　 Ｂ．挥发物质Ｃ．胶体物质　　Ｄ．溶解物质7.Ｘ射线定向法的误差可以控制在　　范围内，准确度高。　　　　　　　　（B　）Ａ．±１０＇　　Ｂ．±１５＇　　Ｃ．±２０＇　　Ｄ．±３０＇8.直拉单晶中氧含量头部和尾部相比。 （A ）A.较高 B.相同 C.较低 D.无法判断9.硅单质是_A__。 A半导体 B导体 C绝缘体 D以上都不是10.只涉及到大约一个原子大小范围的晶格缺陷是( C )。 A线缺陷 B面缺陷 C点缺陷 D体缺陷11.下列是晶体的是__B__。A玻璃 B硅 C松香 D塑料12.晶体的生长方式在人工制备中用的比较少的是( A )。A固相生长 B液相生长 C气相生长13.在我国通常称为工业硅或冶金级硅含量在( D )以上。A90% B92% C95% D97% 14.对于铸造多晶硅氧浓度越__，钝化效果越__，少数载流子寿命增加越__. (Ａ) A低，好，多 B 低，好，少 C低，差，多 D高，好，多15.在工业生产中广泛用的是___C___。 A化学清洗 Brca清洗 C超声波清洗16.下列说法错误的是(　A　)。A.调整晶体生长的热系统，使热场的径向温度梯度增大 B.调节拉晶的运行参数，例如对于凸向熔体的界面加快拉速，增加其凝固速度增加利用结晶潜热使界面趋于平坦 C.调整晶体或者坩埚的转速，调整高温液流的增减 D.增大坩埚内径与晶体直径的比值17.将单晶划分为平P型和N型两大类，P型单晶多数载流子是＿＿，N型单晶多数载流子是＿＿