简述标准双极工艺和nmos流程.docVIP

简述标准双极工艺和nmos流程 摘要：20世纪40年代中期，由于通讯、导航、武器装备等的电子系统日益复杂，导致电子电路的微型化和集成化需求日益迫切。1959年美国仙童公司终于汇集了前人的技术成果，采用平面双极工艺集成技术制造出第一块实用硅集成电路，为集成电路的应用和发展开创了先河。 但由于常规纯硅双极集成技术面临着器件注入效率不高，难以获得高增益，无法实现能带的自由剪截，速度或频率增加缓慢等，因此出现了以硅为基础的异质结构或赝异质结构，为提高硅双极器件的性能和实现新的功能提供了重要技术途径。 在双极工艺发展过程中，在早期的标准双极（或常规双极）工艺集成技术的基础上陆续推出了多晶硅发射极双极、互补双极、SiGe双极、SOI全介质隔离双极等工艺，并广泛采用了薄层外延、深槽隔离、多晶硅自对准、多层金属互连等技术，使陆续推出的新工艺技术制造的器件性能不断提高，不过双极工艺集成技术也越变越复杂。下面说明几种典型工艺集成技术流程。 双极型电路具有速度快、电流驱动能力强和模拟电路精度高等特点，因此，双极工艺不仅非常适用于模拟电路制造，而且在集成电路制造工艺技术发展初期，双极工艺集成技术在数字电路制造中也得到广泛应用，特别是还出现了双极逻辑集成电路发展高潮，因为逻辑集成电路通用性强、需用量大、结构简单、便于大生产、以及价格、体积、功耗、可靠性等方面与同等功能的分立器件相比具有明显优势，因而迅速得到推广应用。 关键词：标准双极性 nmos 流程图 低功耗 双极集成电路制造工艺 双极集成电路就是以双极晶体管作为有源元件的集成电路。双极集成电路具有高速和极大的灵通性，所以在集成电路发展到巨大规模的今天，硅双极技术在一系列数字和模拟应用中依然具有相当大的吸引力。但是双极的主要缺点是集成度低，功耗大，所以主要用于小规模(SSI)和中等规模(MSI)的集成电路中。 集成电路中的基本元件包括有源元件和无源元件，无源元件主要包括电阻、电容和电感。极电路的有源元件有二极管、NPN管、横向PNP管、衬底PNP管等。集成电路的制造采用的是平面工艺，就是说所有的元件都是平面管，电极都是在一个平面上，这与分离元件有所不同。 双极集成电路的制造工艺所需工艺手段和CMOS基本相同，只是多需要一种技术，下面介绍最基本的双极集成电路工艺（用PN结隔离的标准埋层工艺(SBC)），以NPN为例。其器件形成过程如图5-7所示。 (1)衬底准备 衬底用轻掺杂的P型硅。 (2)埋层形成 埋层是为了减小集电区体电阻。先在衬底上长一层二氧化硅，光刻出埋层区，干法刻掉埋层区的氧化硅，然后注入N型杂质(磷、砷或碲)，退火激活杂质并使其扩散，(图5-7a)。 (3)外延层生长 用湿法刻去全部二氧化硅，然后外延一层轻掺杂N型外延硅层。双极器件主要就是做在这层外延层上，(图5-7b) (4)隔离区形成 再长一层二氧化硅，光刻出隔离区，刻掉该区的氧化层，预淀积硼，并退 图5-7 SBC工艺流程示意图 火使其扩散，从而形成P型的隔离区，(图5-7c)。 (5)深集电极接触形成 深集电极接触也是为了降低集电极体电阻，光刻出集电极，注入 (或扩散) 磷，退火激活并扩散，(图5-7d)。 (6)基区形成 光刻基区，然后注人硼，退火使其扩散就形成基区。要注意注入硼的能量和剂量，这对器件的性能影响特别大，(图5-7e)。 (7)发射区形成 基区长一层氧化层，光刻出发射区，磷扩散或注入 砷，并退火形成发射区，(图5-7f)。 (8)金属接触和布线 淀积一层二氧化硅，光刻并干法刻出接触孔，该孔用来引出电极。孔内溅射金属形成欧姆接触，淀积铝作为金属连接层，再光刻并刻出连线层金属，淀积一层钝化层并退火，用版8光刻和一步刻蚀形成压焊块，(图5-7g)。 Nmos流程图 在采用标准双极工艺集成技术制造数字电路和模拟电路的过程中，除某些工艺技术条件不同以外，其主要工艺步骤基本上是差不多的，以标准双极工艺制造模拟电路为例，说明它们的主要工艺流程如下： （1） 准备电阻率为10～20欧姆.厘米，晶向为111的p型掺硼抛光片，作为模拟集成电路芯片制造的衬底片； （2） 将衬底片放入氧化炉中，在高温（如1100 0C）下，通入氧气（干氧）氧化一定时间（如10分钟）后，以湿氧化方法（以氧气通入沸腾的水中，让氧气携带水汽进入高温炉管中对硅片进行氧化，被称为湿氧化）氧化一定时间（如90分钟），再换用氧气氧化一定时间（如30分钟），生成设定厚度（如900纳米）的二氧化硅层，作为埋层扩散掩蔽层； （3） 在二氧化硅层上光刻出埋层掺杂窗口； （4） 将衬底片置于炉管内，以含砷物质（如三氧化二砷）为掺杂源，在低温（如480 0C）下，淀积源适当时间（如1小时