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第1章 半导体二极管和三极管;第一节 半导体的导电特性; 典型的元素半导体有硅Si和锗Ge ,此外,还有化合物半导体砷化镓GaAs等。;半导体的特性:;二、本征半导体;制造半导体器件的半导体材料的纯度要达到99.9999999%,常称为“九个9”。; Si;本征半导体的导电机理;两种载流子-本征激发-空穴的移动;三、N型半导体和 P 型半导体;三、N型半导体和 P 型半导体; 1. 在杂质半导体中多子的数量与
(a. 掺杂浓度、b.温度)有关。;四、PN结; 因浓度差;2 PN结的单向导电性;PN 结变宽; PN结加正向电压时,呈现低电阻,具有较大的正向扩散电流;
PN结加反向电压时,呈现高电阻,具有很小的反向漂移电流。
由此可以得出结论:
PN结具有单向导电性。;半导体二极管的结构;(3) 平面型二极管;伏安特性;主要参数;二极管的单向导电性;半导体二极管图片; 二??管电路分析举例 ;整流电路;电路如图,求:UAB;两个二极管的阴极接在一起
取 B 点作参考点,断开二极管,分析二极管阳极和阴极的电位。;ui 8V,二极管导通,可看作短路 uo = 8V
ui 8V,二极管截止,可看作开路 uo = ui;稳压二极管;稳压二极管;3. 主要参数;光电子器件;光电子器件;第四节 半导体三极管;基区:最薄,
一般在几个微米
至几十个微米
掺杂浓度最低;二 电流分配和放大原理;2. 各电极电流关系及电流放大作用;3.三极管内部载流子的运动规律;3. 三极管内部载流子的运动规律;4. 三极管的三种组态;三 特性曲线; 发射极是输入回路、输出回路的公共端 ;1. 输入特性;2. 输出特性;IB=0;四 主要参数;例:在UCE= 6 V时, 在 Q1 点IB=40?A, IC=1.5mA;
在 Q2 点IB=60 ?A, IC=2.3mA。;2.集-基极反向截止电流 ICBO;4. 集电极最大允许电流 ICM;ICUCE=PCM;晶体管参数与温度的关系
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