石墨烯制备方法总结-高勇概念.docVIP

石墨烯（Graphene）（Graphene）sp2杂化轨道组成六角型呈蜂巢状晶格的平面薄膜，是一种只有一个原子层厚（0.334nm）（Graphene）（Bilayer or double-layer graphene）（few-layer）3-10（multi-layer graphene）（Graphenes）（CVD）（HTHP）（PECVD）（CVD）CVD法是可控制备大面积石墨烯的一种最常用的方法。它的主要原理是利用平面金属作为基底和催化剂，在高温环境中通入一定量的碳源前驱体和氢气，相互作用后在金属表面沉积而得到石墨烯。 从生长机理上主要可以分为两种:一是，渗碳析碳机制，即对于镍等具有较高溶碳量的金属基体，碳源裂解产生的碳原子在高温时渗入金属基体内，在降温时再从其内部析出成核，进而生长成石墨烯；二是，表面生长机制，即对于铜等具有较低溶碳量的金属基体，高温下气态碳源裂解生成的碳原子吸附于金属表面，进而成核生长成“石墨烯岛”，并通“石墨烯岛”的二维长大合并得到连续的石墨烯薄膜。 通常为了确保实验的安全性，在体系中还应连通入氩气加以保护。 最初常用的金属基底包括钌、钴、镍、铂、铱等。通过控制基底的类型、生长温度、前驱体流量、降温速率等参数，可实现石墨烯生长的调控。 工艺过程： 1）4cm*4cm大小，放置在管式炉的石英管内； 2）在Ar气气氛下，常压升温到800-1000℃（压气流量600sccm,1sccm=1ml/min）升温速率8℃/min； 3）当铜箔达到目标温度后，通入氢气还原退火，流量为60sccm，Ar气流量与温度保持不变； 4）20min后，通入10-50sccm甲烷、100sccm氢气和1000sccmAr气，生长5-15分钟后，关闭甲烷和氢气，在Ar气气氛下随炉降温。 得到样品。 评价： CVD法制备石墨烯产物通常具有较大的面积，较高的结构质量，缺陷少，并且层数可控。由于 CVD 方法制备石墨烯简单易行，所得石墨烯质量很高，可实现大面积生长，而且可以转移到各种基体上使用。还可以在较低的温度下进行，从而可以降低制备过程中能量的消耗，并且，石墨烯与基底可以通过化学腐蚀金属的方法容易的分离，有利于后续对石墨烯进行加工处理。 （2）球磨法 原理： 基本原理在于使用机械作用力来克服石墨层间的范德华力，从而使石墨烯得到分离，最终得到一小部分的单层石墨烯。该法采用机械力来分离已知的最薄材料，要求炭材料前驱体必须要有良好的解理性 球磨法是粉末工业中一种常用的技术，是一种很好的产生剪切力的方法。在大多数球磨设备中，有两种途径可以达到剥离和粉碎的效果。 第一种是剪应力，被认为是很好的剥离机械途径。这种方法可以制备大尺寸的石墨烯薄片。第二种是球在碾压作用下发生碰撞和垂直冲击作用。这种方法可以粉碎石墨烯薄片，有时甚至可以晶体结构粉碎成非晶型或者不平衡相。 因此，期望的是减小第二种应力从而制备出高质量大尺寸的石墨烯。 工艺过程： 1）先称取20g石墨放入干净球墨罐内； 2）按照球料比10：1称取不锈钢球（直径5mm 12mm 15mm体积比3:1:1）； 3）添加100ml无水乙醇后加盖密封，在行星球磨机上研磨12h（球磨机自转速度1200r/min.公转速度600r/min）； 4）试验过程中每隔4h加入20ml无水乙醇，结束后将球磨罐中产物干燥得到黑色粉末； 5）将此粉末再放入清洗干净的球磨罐中干研磨16h后取出产物（球料比同湿磨）； 6）将产物称取约2g加到1000ml无水乙醇烧杯中，密封后放入超声波清洗器中24h，（温度为20-30℃）然后将石墨烯溶液在10000rpm离心机上离心5min； 7）离心后用滴管取上层清液滴到新的云母片上，在密封环境下自然风干得到石墨烯样品。 得到样品。 评价： 起初，球磨法被用于减小石墨的尺寸，制得石墨片厚度可以小于10nm。但是这种方法没有进一步得到石墨烯。 直到2010年，相同的理念在液相超声制备石墨烯中得到了应用，Knieke和Zhao等人改进球磨技术后得到了石墨烯。创新性工作结束后，球磨法制备石墨烯得到了蓬勃的发展，行星球磨机和搅拌球磨机这两种技术得到了广泛的应用。 球磨法的优势是可以提供功能化石墨烯，操作简单，工作要求不够苛刻，但缺点是需要较长的时间（几十个小时）而且需要超声溶解等后续步骤。 （3）外延生长法 原理： 外延生长法是指利用晶格匹配，在一个晶体结构上生长出另一种晶体的方法。根据所选择的基底种类，外延法可以分为SiC外延生长法和金属表面外延生长法。 SiC外延生长法： 将SiC单晶片经过氧化或氢气刻蚀处理，再置于超高真空和高温环境下，利用电子束轰击SiC单晶片，除去其表面氧化物；再在高温条件下将其表面层中的Si原子蒸发，使表面剩余的碳原子发生重构，即可在SiC单晶片表