碳化硅（SiC）.pptVIP

①低压化学气相沉积（LPCVD） CVD反应室通常有热壁型与冷壁型，前者用于放热反应，后者用于吸热反应。LPCVD相对普通CVD来说，一方面基板温度较低，避免了杂质的扩散和迁移；另一方面减少了杂质气体的污染，且无须运载气体，淀积速率增加，膜厚均匀性大大改善。Hurtós等人选择Si(CH3)4(TMS)作为先驱体，H2为载气，在垂直的冷壁反应室里，在石墨基板表面沉积多晶SiC薄膜。基板温度在1100～1500℃范围，反应室压强在15～100Torr，随着TMS分压的增加，沉积速率亦提高。 ②热灯丝化学气相沉积法(HFCVD) 通常SiC薄膜的沉积是由一含C的先驱体与一含Si的先驱体通过各种CVD法而得到。然而用HFCVD法、以CH4和H2作为混合气进行金刚石薄膜的沉积时，有可能在沉积早期阶段形成一薄层缓冲层(Si基板上)。这缓冲层有可能是SiC、类金刚石薄膜或者是无定形碳等等，但因薄层太薄无法表征。这表明在CH4-H2混合物用HFCVD法在Si基板上沉积SiC薄膜也是可能的。 采用HFCVD技术在Si(111)衬底上生长了SiC薄膜。通过电子能谱、X射线衍射与时间分辨光谱等分析手段对样品结构、组分进行了分析。结果表明所制备的样品为纳米晶态SiC，并通过计算得到验证,对所制备样品进行光致发光特性测试,观察到其在室温下有较强的紫外发光。