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2．3．2．3．自持电磁场的计算……………………………………………．23
2．3．3．离子溅射………………………………………………………………23
2．4．模拟结果………………………………………………………………………24
2．4．1．磁场分布………………………………………………………………．24
2．4．2．准稳态的确定…………………………………………………………．25
2．4．3．电子与离子的空间分布………………………………………………．29
2．4．4．电场与磁场的空间分布………………………………………………31
2．4．5．靶表面离子流密度及能量分布………………………………………32
2．4．6．靶材的刻蚀曲线………………………………………………………36
2．5．本章小结………………………………………………………………………39
第三章溅射原子的传输…………………………………………………………．41
3．1．弓I言……………………………………………………………………………………………………．41
3．2．模拟方法………………………………………………………………………41
3．2．1．原子运动过程模拟……………………………………………………．41
3．2．2．坐标转换………………………………………………………………43
3．3．模拟结果………………………………………………………………………45
3．3．1．溅射原子的运动轨迹…………………………………………………45
3．3．2．溅射原子与背景气体的碰撞次数……………………………………46
3．3．3．溅射原子运动过程中的能量变化……………………………………47
3．4．本章小结……………………………：………………………………………．：．49
第四章溅射原子的沉积…………………………………………………………．51
4．1．弓I言……………………………………………………………………………………………………．51
4．2．薄膜微观生长的模拟…………………………………………．．j……………51
4．2．1．模拟方法………………………………………………………………。52
4．2．1．1．EAM方法…………………………………………………………………………52
4．2．1．2．薄膜微观初期生长过程的三维模拟…………………………．53
4．2．2．模拟结果………………………………………………………………．55
4．3．薄膜宏观生长的模拟…………………………………………………………59
4．3．1．模拟方法………………………………………………………………．59
4．3．2．模拟结果………：………………………………………………………59
4．3．2．1．基板温度对薄膜宏观形貌的影响……………………………．59
4．3．2．2．磁场分布对薄膜宏观形貌的影响……………………………．60
4．3．2．3．阴极靶上的偏压对薄膜宏观形貌的影响……………………．61
4．3．2．4．背景气体压强对薄膜宏观形貌的影响………………………．62
4．3．2．5．靶材．基板间距对薄膜形貌的影响……………………………63
4．4．本章小结………………………………………………………………………64
结论……………………………………………………………………………………………………………65
参考文献……………………………………………………………………………．67
附录缩略语注释…………………………………………………………………．．73
致谢……………………………………………………………………………………………………………75
摘要
磁控溅射自20世纪70年代诞生以来，因较高的沉积率和成膜质量而成为薄膜
制备的重要手段之一，被广泛应用于集成电路制造、特殊功能材料涂层及材料改性
等诸多领域。由于当前溅射成膜工艺的控制在很大程度上仍然依赖于实验经验，因
此，模拟研究磁控溅射生长过程，对辅助溅射成膜工艺的实际操作有着重要的意义。
随着计算机技术的迅猛发展，计算物理方法与传统的理论研究和实验研究的结
合日趋紧密。许多国内外研究者成功运用计算机模拟方法探讨薄膜的生长机理，并
提出多
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