高压！#$%体管准饱和效应分析与建模.PDFVIP

第 卷 第 期 年 月 物 理 学 报 ( ! %!% ! ， ， ， U5/ ( V5 ! P0G603[ %!% （ ） !%%%8#(%X%!%X( %! X%C !8%R ?=? @YZ.A? .AVA? !%!% N9G @N[; .5J !!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!! 高压!#$% 晶体管准饱和效应分析与建模 ））） ） 王 磊! # $ 杨华岳# !）（中国科学院上海微系统与信息技术研究所，上海 %%%% ） ）（中国科学院研究生院，北京 !%%%’( ） # ）（上海宏力半导体制造有限公司，上海 %!%# ） （ 年 月 日收到； 年 月 日收到修改稿） %%( ’ !% %%( ) ! 研究了高压 （ ）晶体管中一种特殊的电流饱和现象———准饱和效应 借助于 *+,-. /01230/ 4567/2849::6;24 ,-. 模拟工具，澄清了准饱和效应的物理机理是漂移区载流子的速度饱和 进而从本征漏极电压 入手，给出了 =?+ ! 描述 管电流饱和特性的数学模型 该模型已经通过了 的编程验证，兼具准确性、计算速度和可扩展 *+,-. ,01/07 性等优点，并可进一步应用于.@AB 电路模拟 关键词： ，准饱和效应，高压 *+,-. ： ， ’(( C#’%D C#’%* 有专门的描述 同时也出现了一些商用化的模型，如 ［ ， ］ ［ ， ］ !K 引 言 高压BTU 模型!C !R 和,,% 模型!( % ，考虑了准饱 和效应，并较好地表达了器件的直流与交流电学特 随着平板显示器和便携式设备的日益普及，作 性 然而，宏模型一般是采用添加子电路的方式来模 为平板显示器驱动芯片和电源管理芯片的高压集成 拟该效应，在模型收敛性方面有所欠缺，参数也缺乏 电路日益受到关注 与标准 ,-. 工艺兼容的高压 实际的物理意义 而各种集约模型也各有优缺点，比