退对Ge诱导多Si薄膜特性的影-物理学报.PDFVIP

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2017-09-09 发布于天津
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退对Ge诱导多Si薄膜特性的影-物理学报

Acta Phys. Sin. Vol. 61, No. 19 (2012) 198101 Ge Si * † ( , , , 650092 ) ( 2012 2 17 ; 2012 4 5 ) , 500 ◦C Ge a-Si/Ge a-Si , , Raman X . , Ge , : 500 ◦C a-Si/Ge , 600 ◦C 5 h Ge 44%, 700 ◦C, 54%. , Ge a-Si 800 ◦C 5 h , 46%. Ge 200 ◦C. Ge Si Si(200) , 76 nm. Ge Si Si . : , , PACS: 81.05.Gc, 68.55.ag, 68.37.Og ; PECVD 1 , 50 nm, , ; Si 600 ◦C [1−4] , [5] [6] , , , (TFT) , . Ge Si . , Ge Si , , , [15,16]. , . , Si , , , [7,8] Ge (RTA)[9] [10] Si , (PECVD)[11,12] [13,14] . Si Si Si , . [17], ; RTA , 800 ◦C , Ge , , a-Si . , , , Ge ; , Si . * (: (: 2011DFA62380) . E-mail: skdeng@126.com c 2012 Chinese Physical Society 198101-1 Acta Phys. Sin. Vol. 61, No. 19 (2012) 198101 2 Si a-Si , 800 ◦C 5 h, (TO ) 500 ◦C Si −1