载流子.PPTVIP

1、图解分析法（Graphical Analysis） 利用二极管伏安特性曲线，曲线与管外电路方程（负载线）的交点Q，即为所求静态工作点（IQ，VQ） 2、简化分析法 二极管用简化的电路模型：折线模型（a)图 当 时,二极管导通,等效电路(b)图。 通常R RD，RD可忽略, 3、小信号电路分析法 例1.1 已知 试求二极管两端的交流电压 。 1.4 二极管应用电路 一、整流 整流：将交流电压变为单极性电压。 当正弦信号正半周时，二极管导通，vo=vi；负半周时，二极管截止， vo =0。 稳压二极管（稳压管 ） 主要参数如下: (1)稳定电压VZ (2)稳定电流IZ 最小稳定电流IZmin 最大稳定电流IZmax 二、稳压电路 结论：利用稳压二极管可以构成稳压电路和限幅电路。 稳压电路 Vi为有波动的输入电压，并满足Vi VZ。R为限流电阻，RL为负载。 【例1.2】 试求当负载电阻RL值减小到多少时，电路将失去稳压作用？ 解得 设稳压管VDz截止 三、限幅电路 一种能把输入电压的变化范围加以限制的电路。 1、利用二极管的正向导通特性实现限幅 双向限幅电路 设V1 = V2 = 3 V 2、利用稳压管实现限幅 1.3 设二极管是理想的，试判断图中二极管的状态，并求电路的输出电压和流过二极管的电流。 1.4 二极管电路如图，计算输出电压（相对于地的电位）VO和电流ID。 1.5 二极管电路如图所示，电路中，已知输入电压 (V)。 画出输出电压 的波形：（1）二极管为理想模型；（2）二极管为恒压降模型。 1.9 理想二极管电路如图所示，判断各二极管的状态，并计算输出电压。 第1章 二极管(Diode)及其电路 内容： 1、讨论半导体材料及特性 2、PN结的形成及特性 3、二极管电路——模型分析法（分段线性模型） 4、二极管应用电路 整流 稳压 限幅 1.1 半导体材料及特性 一、半导体材料 硅（Si） 锗（Ge） 砷化镓（GaAs） 惯性核模型 硅和锗的原子结构模型 价电子 硅和锗共价键结构 原子晶阵四面体结构 二、 本征半导体(Intrinsic Semiconductors) 定义：完全纯净,结构完整的半导体晶体。 特性：T=0K（–273℃），本征半导体中没有可移动的带电粒子（载流子），不能导电，相当于绝缘体。 1、本征激发 T↑（或光照）→价电子获得能量→挣脱共价键束缚→自由电子→共价键中留下空位（空穴） 空穴 带正电 能移动 载流子 本征激发→ （自由）电子 空穴 特征：两种载流子数目相等。 复合：本征激发逆过程（电子空穴相遇→释放能量→成对消失） 2、热平衡载流子浓度ni T一定时，本征激发和复合达到动态平衡——载流子浓度ni不变 ni=p0 =n0 p0 热平衡空穴浓度 n0 热平衡电子浓度 ni是温度的函数。T↑→ni↑↑ 室温（T=300K）时，硅的 ni≈1.5×10 10cm -3， 锗的 ni≈2.4×10 13cm -3 ， 硅的原子密度为4.96×1022 cm -3 ， ni仅占原子密度三万亿分之一。 问题：本征半导体导电能力很低。 二、杂质半导体（Doped Semiconductor） 目的：提高半导体导电能力 方法： 掺入一定量的杂质元素，导电能力显著增加。 1、N型半导体 掺入五价元素（磷） N型半导体：多电子、少空穴的杂质半导体。 多数载流子（多子）：电子 少数载流子（少子）：空穴 施主杂质（Donor） 杂质电离 2、P型半导体 掺入三价元素（硼） 受主杂质（Acceptor） 多数载流子（多子）：空穴 少数载流子（少子）：电子 结论：①多子的浓度由杂质浓度决定； ②少子的浓度与温度有关；半导体器件温度特性差的根源 三、漂移和扩