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硅生长过程中磁场对流场及提拉速率的影响 邓谷雨, 陈启生* 中国科学院力学研究所，北京，100080 Email: qschen@imech.ac.cn 摘要： 本文通过使用基于非正交网格有限体积法的FLUTRAPP (Fluid Flow and Transport Phenomena Program)程序模拟了工业8英寸单晶硅生长过程。数值模拟结果表明，流场及提拉速率在单晶硅生长过程中具有振荡特性，其振荡周期大约为1.5 分钟（见图1）。 尖型磁场能够抑制坩埚中熔体流动的振荡，减小提拉速率的振幅，从而有利于提高所生长的单晶的质量。 关键词：提拉法，单晶硅，流动振荡，提拉速率振荡。 引言 提拉法(Czochralski Method)是单晶硅生长的最主要方法。通过很多研究人员的努力，单晶硅的尺寸和质量得到不断的提高[1]。目前工业上已经能够大规模制备直径达300 mm的单晶硅 图 1. 尖型磁场结构示意图。 为了有效地控制生长区内的熔体流动、氧浓度以及掺杂组分浓度分布等，人们在生长过程中引入了磁场。常见的磁场类型有轴向磁场 [2]、水平磁场 [3]、尖型磁场[4, 5]和电磁场[6]。本文中考虑的是尖型磁场。所谓的尖型磁场，就是在生长界面上下方对称的放置一组通以相向电流的导电线圈它们将形成一个轴对称的的磁，故称之为尖型磁场。抑制浮力对流，提高晶体的径向均匀性和降低晶体的氧组分浓度，振荡的平均周期约为1.5 分钟。 本文中，我们考虑了工业8英寸单晶硅生长的多相体系，使用有限体积法 [14, 15] 模拟了物质组分输运情况，并采用离散交换因子法计算了生长室内的辐射传热[16]。最后讨论了尖型磁场对流场及提拉速率的影响。 物理及数学模型的建立 考虑如图2提拉法单晶硅生长的物理模型，我们假设坩埚中的熔体为Newton流体，满足Newton流体的本构方程；熔体满足Boussinesq近似条件，即在考虑有重力影响时，熔体的密度与温度存在着线性变化关系；体系为二维轴对称准定常过程；尖型磁场是轴对称和定常的，熔体和晶体是导体，生长室内的气体为绝缘体 [9]。 图2提拉法单晶硅生长模型简图 根据以上基本假设，我们采用如下基本方程组， ， (1) ， (2) ， (3) 其中，u为熔体的的速度矢量，p为压强，为密度，为动力学粘性系数，g为重力加速度，F为外加场如尖型磁场产生的洛仑兹力， 为比热，T为体系中的温度，k为热扩散系数，为辐射传热源项。 磁感应强度矢量的计算采用了与Hick等人[8]相同的方法。在得到坩埚区内的磁感应强度分布之后，我们可以计算坩埚中熔体的电流密度[9]如下： ， (4) 其中为周向速度分量，和分别为磁感应强度在径向和轴向的分量。电流密度矢量定义为, ， ， (5) 而电流密度矢量在周向的分量可通过广义欧姆定律得到， 。 (6) 在计算得磁感应强度B和电流密度矢量J之后，我们可以得到Lorentz力F。本文中引入无量纲参数以表征Lorentz力的大小， 其中为特征磁感应强度，为坩埚半径，为熔体电导率。 图3 三相点示意图 假设晶体的形状可以被定义为其轴向位置和时间的函数，。由于熔体一旦结晶其形状不再发生变化，因此，可被如下运动方程定义[18], , (7) 其中为提拉速率（度）。同时在三相点（见图3）附近，我们假设在三相点晶体侧面和熔体存在着非零的浸润角，因此，我们考虑如下边界条件： ，