类别3电子3A统、装备及零件.PDFVIP

類別3─電子 3A 系統、裝備及零件 註釋： 1. 項目3A001或3A002所描述的(項目3A001(a)(3)至3A001(a)(10)、3A001(a)(12)或3A001(a)(13) 所描述除外)為其他裝備而特別設計，或具有與其他裝備相同的功能特性的裝備及零件 的管制狀況，由該其他裝備的管制狀況決定。 2. 項目3A001(a)(3)至3A001(a)(9)、3A001(a)(12)或3A001(a)(13)所述，為其他裝備的特定功能 作不可變更程式或設計的集成電路的管制狀況，由該其他裝備的管制狀況決定。 注意： 當製造商或申請者無法決定其他裝備的管制狀況時，該集成電路的管制狀況應於項目 3A001(a)(3)至3A001(a)(9)、3A001(a)(12)及3A001(a)(13)中決定。 (2009年第226號法律公 告；2015年第27號法律公告) (2013年第89號法律公告) 3A001 以下的電子零件： (a) 以下的一般用途集成電路： 註釋： 1. 功能已確定的晶圖(完成或未完成)的管制狀況應依據項目3A001(a)的參數評估。 2. 集成電路包括下列類型： “單塊集成電路”； “混合集成電路”； “多晶粒集成電路”； “薄膜型集成電路”，包括矽成長在藍寶石上的集成電路； “光集成電路”； (2015年第27號法律公告) “三維集成電路”。 (2015年第27號法律公告) (1) 經設計或評定為輻射硬化至下列任何一項的集成電路： 3 (a) 可承受5×10 戈瑞(矽)或以上的總劑量； (2004年第65號法律公告) (b) 可承受5×106戈瑞(矽)／秒或以上的劑量率；或 (2004年第65號法律公告) (c) 可承受5x1013 中子／平方厘米或以上的硅中子通量(集成通量)(相等於1兆電子 伏)，或其他物料的相等通量； 註釋： 項目3A001(a)(1)(c)不適用於金屬絕緣半導體(MIS)。 (2004年第65號法律公告) (2) 具有下列任何特性的“微處理器微電路”、“微電腦微電路”、微控制器微電 路、由化合物半導體所製造的貯存集成電路、模擬-數字轉換器、數字-模擬轉換 器、為“訊號處理”而設計的光電及“光集成電路”、可場程式邏輯裝置、未知 其功能或其應用裝備的管制狀況的客戶委託型集成電路、快速傅里葉轉換(FFT)處 理器、電清除可程式唯讀記憶體(EEPROMs)、快閃記憶體或靜態隨機存取記憶體 (SRAMs)： (2001年第132號法律公告；2008年第254號法律公告) (a) 評定為可於開氏398度(攝氏125度)以上的周圍溫度操作； (b) 評定為可於開氏218度(攝氏-55度)以下的周圍溫度操作；或 (c) 評定為可於開氏218度(攝氏-55度)至開氏398度(攝氏125度)整個周圍溫度範圍 內操作； 註釋： 第 60G 章 - 《進出口(戰略物品)規例》