广东工业大学半导体物理试卷.docVIP

六、（10分）已知室温时锗的本征载流子浓度，均匀掺杂百万分之一的硼原子后，又均匀掺入1.442×1017cm-3的砷，计算掺杂锗室温时的多子浓度和少子浓度以及EF的位置。 七、（10分）求室温下硅的电阻率。 八、（10分）掺有1.1×1016 cm-3硼原子和9×1015 cm-3磷原子的Si样品，试计算室温时多数载流子和少数载流子浓度及样品的电阻率。 九、（10分）掺杂施主浓度为的n型硅，室温下光稳定照射产生非平衡载流子浓度为，光照突然撤销后，经过，假如非平衡空穴准费米能级EFP的能级位置偏离平衡态时费米能级为0.2eV，求n型硅材料的寿命。 半导体物理试卷B解答 一、名词解释： （1）晶面指数：布拉格点阵可以看作一系列分布在相互平行的平面上的格点组成, 这些平行平面称为晶面. 以原胞为基矢来描述晶面取向的一组互质整数称为晶面指数。 （2）分子晶体：以分子(原子)间的范德华力构成晶体。 （3）肖脱基缺陷：晶体内部格点上的原子跑到晶体表面的正常格点位置，在晶体内部形成一个空位，这种缺陷称为肖脱基缺陷。 （4）受主能级：通过受主掺杂在半导体的禁带中形成缺陷能级。正常情况下，此能级为空穴所占据，这个被受主杂质束缚的空穴的能量状态称为受主能级。 （5）直接复合：导带中的电子越过禁带直接跃迁到价带，与价带中的空穴复合，这样的复合过程称为直接复合。 二、解：硅为金刚石结构，（100）面上原子排列如图所示。图中面元包含两个原子，因此（100）面上单位面积上的原子数为 2/(5.43×5.43×10-20)(m-2)=6.78×1018m-2 三、 四、晶格常数为0.2nm的一维晶格，当外加103V/m，106V/m的电场时，试分别计算电子自能带底运动到能带顶所需的时间。 [解] 设电场强度为E，∵F=h=qE（取绝对值） ∴dt=dk ∴t==dk= 代入数据得： t＝＝（s） 当E＝103 V/m时，t＝1.04×10－8（s）；E＝106V/m时，t＝1.04×10－11（s）。 五、解：费米分布函数为,当E－EF等于3k0T时，f＝0.047 玻耳兹曼分布函数为,当E－EF等于3k0T时，f＝0.050 上述结果显示在费米能级附近费米分布和玻耳兹曼分布有一定的差距。 六、解：硼的浓度：NA＝4.42×1016cm-3。有效施主杂质浓度为：ND=(14.42-4.42) (1016 cm-3=1017 cm-3 室温时下杂质全部电离，由于有效杂质浓度远大于本征载流子浓度2.4×1013cm-3，锗半导体处于饱和电离区。 多子浓度n0＝ND＝1017cm-3 少子浓度p0=ni2/n0==(2.4(1013)2 /1017=5.76(109(cm-3) 费米能级：EF=EC+k0Tln(ND/NC)=EC+0.026ln[1017/(1.1(1019)]=EC-0.122(eV) 七、[解] n-Si，ND＝1015cm-3，Δn＝Δp＝1014cm-3， 室温下处于饱和电离区.无光照的平衡状态时,平衡载流子浓度为: 光照停止后经过20微秒, 空穴浓度为: 非平衡空穴浓度为: 由知, 八、解：对于Ge：ND=1.2×1015cm-3；NA＝1.0×1015cm-3；T＝300K时 ni=2.4×1013cm-3. 多子浓度:； 少子浓度: 六、（15分)在室温时对Ge均匀掺杂百万分之一的硼原子后，计算掺杂锗室温时的多子浓度和少子浓度以及EF的位置。 七、（15分）一块迁移率为的n型硅样品，空穴寿命，在其平面形的表面处有稳定的空穴注入，过剩空穴浓度，计算从这个表面扩散进入半导体内部的空穴电流密度，以及在离表面多远处过剩空穴浓度等于1012cm-3。 八、（10分）掺有1.1×1016 cm-3硼原子和9×1015 cm-3磷原子的Si样品，试计算室温时多数载流子和少数载流子浓度及样品的电阻率。 计算中可能用到的常数： Si的原子密度：5.00×1022/cm3，Ge的原子密度：4.42×1022/cm3 本征载流子浓度：Si： ni＝1.5×1010/cm3，Ge： ni＝2.4×1013/cm3 迁移率：Si (n=1350cm2/V.s，(p=500cm2/V.s；Ge：(n=3900cm2/V.s，(p=1900cm2/V.s Si有效状态密度：Nc=2.8×1019/cm3，Nv＝1.1×1019/cm3 Ge有效状态密度：Nc=1.1×1019/cm3，Nv＝5.7×1018/cm3 电子电量为1.6×10－19C； 普朗克常数h＝6.625×10－34J.s 室温时k0T=0.026eV 半导体物理试卷解答 一、名词解释： （1）布拉菲点阵：实际晶体可以看作基元在空间的周期性重复排列。把基元看作是一个