第2章. 半导体物理半导体中得杂质和缺陷能级.pptVIP

缺陷种类： 点缺陷：点的不完整性（空位，杂质，替位） 线缺陷：线的不完整性（位错） 面缺陷：面的不完整性（层错） 2.位错—线缺陷（线的不完整性） 最著名的位错是刃位错或称棱位错，从原子排列的状况看如同垂直于滑移面插进了一层原子 晶格畸变 * * 1 半导体中的电子状态 3 半导体中载流子的统计分布 4 半导体的导电性 5 非平衡载流子 6 p－n结 半 导 体 物 第 理 四 学 版 2 半导体中杂质和缺陷能级 实际应用的半导体材料晶格 （偏离理想情况） 原子在平衡位置附近振动 杂质 缺陷 微量杂质和缺陷 对物理及化学性质 产生决定性影响 破坏周期性势场 禁带中引入能级 利用 掺杂 缺陷 （外界影响） 高性能器件 杂质引起周期势微扰示意图 2 半导体中的杂质与缺陷 前述 1. 替位式杂质 间隙式杂质 杂质存在方式 根据杂质原子和晶格原子大小、价电子壳层结构分类 填（间）隙式杂质：位于格点间的间隙位置 替位式杂质：取代了晶格原子位于格点处 硅中的杂质 eg：rLi＝ 0.068nm 填隙 B、P 替位式 Si 2.1 硅 锗晶体中的杂质能级 以Si中掺P为例： P取代Si→正电中心P+和一个多余的价电子（束缚作用较弱） 硅中的施主杂质 施主能级和施主电离(画法) 施主电离 施主杂质：（n型杂质）施放电子而产生导电电子并形成正电中心 n型半导体：主要依靠导带电子导电的半导体 2. 施主杂质、施主能级 Si、Ge中Ⅴ族杂质的电离能△ED（eV） 晶 杂 质 体 P As Sb Impurity-doped Silicon Si 0.044 0.049 0.039 Ge 0.0126 0.0127 0.0096 电离前施主杂质为中性的束缚态，束缚电子的能级为施主能级ED,为靠近导带的孤立能级: 多余价电子成为导电电子所需能量称为施主电离能⊿ED， ⊿ED =Eg-EDEg 3.受主杂质、受主能级 以Si中掺B为例： B取代Si→负电中心B-和一个带正电的空穴（束缚作用较弱） 受主电离 受主杂质：（p型杂质）接受电子而产生导电空穴并形成负电中心 p型半导体：主要依靠价带空穴导电的半导体 硅中的受主杂质 受主能级和受主电离 (画法) Si、Ge中Ⅲ族杂质的电离能△EA（eV） 晶 杂 质 体 B Al Ga In Impurity-doped Silicon Si 0.045 0.057 0.065 0.16 Ge 0.01 0.01 0.011 0.011 受主杂质的空穴未电离时的束缚态能级为受主能级EA，为靠近价带的孤立能级 空穴挣脱受主杂质束缚成为导电空穴所需要的能量称为受主电离能⊿EA ⊿EA =EA-EgEg （浅）杂质半导体 1、n 型半导体： 特征：a、施主杂质电离， 导带中 出现施主 提供的导电电 子； b、电子浓度n空穴浓度p 2、p 型半导体： 特征：a、受主杂质电离，价带中 出现受主提供的空穴； b、空穴浓度p电子浓度n Impurity-doped Silicon 上述杂质的特点：