【2017年整理】《专用集成电路》课堂笔记整理.pdfVIP

专用集成电路设计 课堂笔记 教 师：韩孝勇 E-mail ：xyhan5151@ 西电 谢胜祥 整理 E-mail: xiesx1985@126.com 课程内容 1、半导体物理 2 、IC 工艺 3、版图设计 4 、EDA 工具 设计软件：Ledit ， Cadence l 通用电路生产商：eg.韩国大部分厂家 l 集成器件制造商：eg.NEC l 代客加工厂 （标准工艺） l 光电效应 l 热电效应：赛贝尔效应(热电偶) 温差产生电流 l 热耳贴效应 l 磁效应 l 压阻效应 l 声电效应 一、半导体知识 1、半导体导电与金属导电 u 能带、满带/价带、导带、禁带 本征激发： 价带电子——导带电子的过程 半导体的禁带宽度为1eV 左右 2 、p/n 型半导体 l 点缺陷：如空位，间隙电子 l 线缺陷：如位错 l 面缺陷：如层错 l 电子型——n 型 l 空穴型——p 型 l 杂质的补偿作用 3、金属、半导体接触 l 功函数 l 阻挡层= 电子流动单向 l 肖特基势垒二极管 金半接触，能带弯曲 费米能级——水平面 欧姆接触：产生不明显的阻挡 （隧道效应）——高浓度掺杂 4 、半导体的光热磁压效应 CMOS 结构 二、集成电路 1、全定制法设计流程 2 、单管符号 eg. l N 沟道场效应管 l 缓冲区只能由两个倒相器 ：N 管接低电平，P 管接高电平 l 反相器 l 与非门 注意：与门做不出来，与非再非 或门也做不出来，或非再非 l 或非门 l 与或非门 l 电阻：一致性较好，但精度偏差大 l 电容：几p~几十个p 3、基本版图 L ：电子走过的路程 W ：允许电子同时走过的宽度 l 阱接触 l 衬底接触 vccßp 管 GNDßN 管 三、开发环境 1、基于工作站的方式 2 、EDA 软件介绍： l Cadence 软件包 l Synopsys l IKOS l Vatage GDS 格式ß各软件通用 3、集成电路设计流程 l Top-Down l Bottom-up l 可测性设计 l 低功耗设计 l 正向设计 l 反向设计à解剖，照相，提取，整理，逻辑仿真，版图，PostSim ，PG 4 、电路仿真软件：分数字，模拟两大类 5、可靠性设计：降额设计，冗余设计，灵敏度分析，最坏情况分析 6、可靠性模拟区别于后仿真 四、集成工艺流程 l 封装制造与测试全过程 l 晶圆à芯片 l 混合集成电路：厚膜、薄膜