【2017年整理】大学物理25-26章激光半导体习题解.pdfVIP

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2017-12-20 发布于浙江
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【2017年整理】大学物理25-26章激光半导体习题解.pdf

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【2017年整理】大学物理25-26章激光半导体习题解

第二十五章激光习题解 dM (T ) dM (T ) dν dν 25.1 由于M (λ,T ) ⋅ M (ν.T ) ⋅ dλ dν dλ dλ dλ 故M ν T M λ T ) ⋅ ，由于νλ c 微分有νdλ+λdν 0 ( , ) ( , dν dλ λ dλ λ 得到 − ，只考虑大小，则 dν ν dν ν 2 5 3 2 π λ λ π ν 2 hc / 2 h / c 故 M ν T ⋅ ( , ) hc / kλT hν/ kT e −1 ν e −1 ν c 4M ( ,T ) 25.2 由故 ρν M (ν,T) ρ(ν,T) ( ,T ) 4 c 3 3 π ν 8 h / c 将上题结果代入即得 ρν ( ,T) hν/ kT e −1 25.3 为方便，设受激辐射概率为，自发辐射概率为，受激吸收概率为，则由平衡条 x1 x2 y 件知道 x1 +x2 y 又按题意 x1 / y α 由之可得自发辐射与受激吸收比率x2 / y 1−α ,受激辐射和自发辐射的比率x1 / x2 α 1−α hc 25.4 两种受激跃迁的比率为 dN21 N 2 e−E / kT e−kλT dN N 12 1 dN −6 −3 代入已知条件算得