【2017年整理】禁带宽度选修课论文.pdfVIP

半导体物理论文 ——半导体禁带宽度的测量方法 姓 名 学 号 单 位 六院六队 摘 要 禁带宽度是半导体的一个重要特征参量，本文先介绍了禁带宽度 的意义，它表示表示晶体中的公有化电子所不能具有的能量范围；表 示表示价键束缚的强弱；表示电子与空穴的势能差；是一个标志导电 性能好坏的重要参量，但是也不是绝对的等等。 其测量方法有利用 Subnikov2de Hass 效应、带间磁反射或磁吸 收、回旋共振和非共振吸收、载流子浓度谱、红外光吸收谱等等。 其中本文介绍了二种常见的测量方法：利用霍尔效应进行测量和 利用光电导法进行测量。 1 一， 引言：关于禁带宽度 禁带宽度是半导体的一个重要特征参量，用于表征半导体材料物 理特性。所谓禁带是指价带和导带之间，电子不能占据的能量范围， 其间隔宽度即是禁带宽度 Eg.其涵义有如下 四个方面： 第一，禁带宽度表示晶体中的公有化电子所不能具有的能量范 围：即晶体中不存在具有禁带宽度范围内这些能量的电子，即禁带中 没有晶体电子的能级。这是量子效应的结果。注意：虽然禁带中没有 公有化电子的能级，但是可以存在非公有化电子（即局域化电子）的 能量状态——能级，例如杂质和缺陷上电子的能级。 第二，禁带宽度表示价键束缚的强弱：半导体价带中的大量电子 都是晶体原子价键上的电子（称为价电子），不能够导电；对于满带， 其中填满了价电子，即其中的电子都是受到价键束缚的价电子，不是 载流子。只有当价电子跃迁到导带（即本征激发）而产生出自由电子 和自由空穴后，才能够导电。因此，禁带宽度的大小实际上是反映了 价电子被束缚强弱程度、或者价键强弱的一个物理量，也就是产生本 征 (热)激发所需要的平均能量。 价电子由价带跃迁到导带（即破坏价键）的过程称为本征激发。 一个价电子通过热激发由价带跃迁到导带（即破坏一个价键）、而产 生一对电子-空穴的几率，与禁带宽度 Eg 和温度 T 有指数关系，即等 于 exp(-Eg/kT) 。Si 的原子序数比 Ge 的小，则 Si 的价电子束缚得较 紧，所以 Si 的禁带宽度比 Ge 的要大一些。GaAs 的价键还具有极性 （离子性），对价电子的束缚更紧，所以GaAs 的禁带宽度更大。绝缘 体的的价电子束缚得非常紧，则禁带宽度很大。金刚石在一般情况下 就是绝缘体，因为碳（C ）的原子序数很小，对价电子的束缚作用非 常强，价电子一般都摆脱不了价键的束缚，则不能产生出载流子，所 以不导电。 实际上，本征激发除了热激发的形式以外，还有其它一些形式。 如果是光照使得价电子获得足够的能量、挣脱共价键而成为自由电 子，这是光学本征激发（竖直跃迁）；这种本征激发所需要的平均能 量要大于热学本征激发的平均能量——禁带宽度。如果是电场加速作 用使得价电子受到高能量电子的碰撞、发生电离而成为自由电子，这 2 是碰撞电离本征激发；这种本征激发所需要的平均能量大约为禁带宽 度的 1.5 倍。 第三，禁带宽度表示电子与空穴的势能差：导带底是导带中电子 的最低能量，故可以看作为电子的势能。价带顶是价带中空穴的最低 能量，故可以看作为空穴的势能。离开导带底和离开价带顶的能量就 分别为电子和空穴的动能。 第四，虽然禁带宽度是一个标志导电性能好坏的重要参量，但是 也不是绝对的。因为一个价电子由价带跃迁到导带的几率与温度有指 数函数关系，所以当温度很高时，即使是绝缘体（禁带宽度很大）， 也可以发生本征激发，即可以产生出一定数量的本征载流子，从而能 够导电。这就意味着，绝缘体与半导体的导电性在本质上是相同的， 差别仅在于禁带宽度不同；绝缘体在足够高的温度下，也可以认为是 半导体。实际上这是很自然的，因为绝缘体与半导体的能带结构具有 很大的共同点——存在禁带，只是宽度有所不同而已。 在实际科研和应用中,对禁带宽度的测量是研究半导体材料性质 的基本手段,各种测量方法都较为复杂,如 Subnikov2de Hass 效应、 带间磁反射或磁吸收、回旋共振和非共振吸