【2017年整理】第7章 固体物理2_555803503.pptVIP

晶体管 集成电路 Ｐ－Ｎ结的适当组合可以做成具有放大作用的晶体三极管 以及各种晶体管。 1947年12月23日，美国贝尔实验室 的半导体小组做出了世界上第一只 具有放大作用的点接触型晶体三极管。 ? 固定针B 探针 固定针A Ge晶片 1956年,小组的三位成员获诺贝尔物理奖。 世界上第一支晶体管 肖克利 巴丁 布拉顿 1956年诺贝尔物理学奖获得者。 后来，晶体管又从点接触型发展到面接触型。 晶体管比真空电子管体积小，重量轻， 成本低，可靠性高，寿命长，很快成为 第二代电子器件。 P n P C e b 做成集成电路 大规模集成电路 超大规模集成电路 下图为INMOS T900 微处理器: 每一个集成块（图中一个长方形部分） 约为手指甲大小， 它有300多万个三极管。 2000年诺贝尔物理学奖获得者 提出异质结结构理论， 发明异质结激光器 发明集成电路 1970年，贝尔实验室的 江崎和朱兆祥设想 用两种晶格的半导体材料交替生长成周期结构， 人工制作新的晶态。 每层材料的厚度 ≤100 nm， 1972年已实现 称为超晶格。 超晶格量子阱与纳米器件 超晶格使电子在生长方向的运动受到限制 例如: 只能在垂直于生长方向的平面层内运动，该平面层称为 量子阱 导带 禁带 价带 A B A A B A 量子阱