第2_3_章_集成电路中的元器件.ppt

可以画出低频小信号等效电路 加上电容可以得到高频小信号等效电路 模拟集成电子学 集成电路中的器件模型 4. MOS管的亚阈值区特性 应用：（1）低功耗时 （2）利用指数关系 （3）低速电路 模拟集成电子学 三.MOS工艺中两个重要问题 a）ESD（Electro-Static-Discharge） b）Latch-up effect 集成电路中的器件模型 模拟集成电子学 a）集成电路中管脚的静电保护电路 集成电路中的器件模型 模拟集成电子学 b）闩锁效应 闩锁效应是由NMOS的有源区、P衬底、N阱、PMOS的有源区构成的n-p-n-p结构产生的，当其中一个三极管正偏时，就会构成正反馈形成闩锁。 集成电路中的器件模型 模拟集成电子学 = = 集成电路中的器件模型 模拟集成电子学 为避免以上情形出现： 1.器件放置远。 2.采用深well。 3.加保护环。 4.阱和衬底浓度高，加大基区复合。 5.Silicon on Insulator(SOI) / Silicon on Sapphire(SOS) 工艺。 集成电路中的器件模型 SOI(Silicon-On-Insulator: 绝缘衬底上的硅)技术 * 不同材料的方块电阻 (针对0.25umCMOS工艺) 材料 方块电阻(Ω/□) n+、 p+扩散层 50~150 n+、 p+扩散层 （有硅化物 ） 3~5 N阱 1000 ~1500 多晶硅（Poly电阻） 150~200 多晶硅（有硅化物 ） 4~5 金属 0.05~0.1 寄生电阻  由于集成电路的尺寸愈来愈小、电路愈来愈密，同时工作频率愈来愈快，芯片内电路的寄生电阻效应和寄生电容效应也就愈来愈严重，进而使频率无法再提升，这种情况称之为阻容延迟（又叫阻容迟滞，RC延时,RC Delay），RC延时不仅阻碍频率成长，同时也会增加电路的无用功的功耗。 寄生电阻的问题来自于线路本身的电阻性，如果可以用电阻值更低的材质，寄生电阻的问题就可以缓解。 目前集成电路业界已经采用铜互联技术来代替铝互连技术，由于铜比铝有更好的导电率，电阻较低，单纯采用铜来代替铝作为互联材料可以降低RC 大约40%。 模拟集成电子学 第一节 集成电路中的电容、电阻和电感 5.开关电容模拟电阻 一个周期内传递的电荷： 所以： 等效电阻： 时间常数： 模拟集成电子学 第一节 集成电路中的电容、电阻和电感 例： 特点： 1.电阻可以做的很大。 2.RC时间常数很精确。 f=100KHz，C=1pf，Req=? Req = 6.MOS有源电阻 用MOS管做电阻 模拟集成电子学 三.电感（Inductance） 第一节 集成电路中的电容、电阻和电感 (一)无源电感(RF CMOS ) 特点： （1）电感量小，nH量级。 （2）Q值有限，通常10左右。 (二) 有源等效电感 模拟集成电子学 第一节 集成电路中的电容、电阻和电感 运放实现的有源等效电感 = (1) 模拟集成电子学 第一节 集成电路中的电容、电阻和电感 运放为理想，增益A无穷大，输入电流为0 = = 可得 因为 所以 因为 可得等效电感 模拟集成电子学 (2) 运放实现的有源等效电感 第一节 集成电路中的电容、电阻和电感 = 模拟集成电子学 运放为理想，增益A无穷大，输入电流为0 ｛｝ (1) (2) 由（2） 代入（1） 可得 所以 电感的Q值： 第一节 集成电路中的电容、电阻和电感 模拟集成电子学 第二节 集成电路中的二极管、 双极型晶体管、MOSFET 模拟集成电子学 第二节 集成电路中的二极管、双极型晶体管、MOSFET 一.双极型晶体管 NPN PNP P衬底 N 外延双极工艺 在n阱CMOS工艺中的pnp 模拟集成电子学 第二节 集成电路中的二极管、双极型晶体管、MOSFET 二.MOSFET MOSFET N沟 P沟 N型增强 N型耗尽 P型增强 P型耗尽 模拟集成电子学 第二节 集成电路中的二极管、双极型晶体管、MOSFET N沟 P沟 N型增强 N型耗尽 P型增强 P型耗尽 表示方法 以上是三端器件；集成电路中用通常是四端器件！ NMOS结构 的立体结构 PM