第2章 器件3--保护.pptVIP

晶闸管的串并联与保护 电力电子电路与器件的保护 §9.1 过电压保护(Over-voltage Protection) 外部过电压： 操作过电压：拉合闸、器件关断引起 浪涌电压：雷击等引起，由电网进入装置 内部过电压： 电力电子电路的换相等引起。 1、阻容保护 4) RC抑制空载原边拉闸时的过电压 3、非线性器件保护 §9.2 过电流保护(Over-current Protection) 4）选用原则： 额定电压大于线路正常工作电压； 熔体额定电流（有效值）被保护元件对应电流有效值 实际电流IT 校验： §9.3 di/dt及du/dt保护(di/dt and du/dt Protection) 1、di/dt承受能力 抑制器件开通时的电流过冲和di/dt，减小器件局部导通电流密度，降低开通损耗。 1、du/dt承受能力 吸收器件的关断过电压和换相过电压，抑制du/dt，防止误导通，降低关断损耗； 一、晶闸管的串联—均压 1、静态均压 二、晶闸管的并联—均流 1、静态均流 2、动态均流 电力MOSFET并联运行的特点 Ron具有正温度系数，具有电流自动均衡的能力，容易并联。 注意选用Ron、UT、Gfs和Ciss尽量相近的器件并联。 电路走线和布局应尽量对称。 可在源极电路中串入小电感,起到均流电抗器的作用。 ??IGBT并联运行的特点 在1/2或1/3额定电流以下的区段，通态压降具有负的温度系数。 在以上的区段则具有正温度系数。 并联使用时也具有电流的自动均衡能力，易于并联。 压敏电阻 * 自动化与信工程学院电气系 --电力电子技术-- The Protection of Power Electronic Devices and Circuits 主讲：伍文俊 一、过电压产生的原因 二、过电压的保护方法 电路法 器件法(RC保护、压敏电阻、硒堆等） 单相 三相（Y，△均可） 整流式 可以用于对电路的保护，也可以用于对器件的保护。 1）装置的输入输出保护 2）器件的保护 并联接于器件两端。 3) 限制合闸过电压 三相变压器星形中点通过电容接地，或次级绕组并联电容，以防止原边合闸而将高压耦合至副边，也可在原副边间加屏蔽层。 三相时的情况： 单相时的情况： 5) 用避雷器防止雷击过电压损坏元件 2、 关断缓冲吸收电路—snubber circuit R：限制GTR通时电容放电电流； VD：GTR关断时将R短路，增加过电压保护效果。 1）硒堆 伏安特性 接法 几种保护？？ 选择 硒片串联数 Uv：需要保护的电路或器件实际承受电压最大值； Vm：每片硒片最大耐压。 特点 a、过电压时击穿保护，过压消失后恢复原特性； b、多次使用或长期不用反向电压会上升。 2）压敏电阻 伏安特性 正常工作：漏电流小，损耗小 过压时：IY达数千安培，击穿时动态电阻 很小，允许浪涌电流大，抑制过 压能力强，时间短。 外形 主要参数 a、标称电压（额定电压）U1mA：流过1mA电流时的端电压； c、 残压比：Uy/ U1mA（越接近于1越好） b、残压Uy：放电电流达规定Iy值时压敏电阻两端电压； 选择 Um：被保护的电路或元件的最大耐压； 特点 a、每次击穿后标称电压会下降； b、响应快。 接法同RC阻容保护 一、过电流产生的原因 1、负载变化或短路； 2、电源电压的突变； 3、换流失败（脉冲延时、丢脉冲等）； 4、电力电子器件故障反向击穿。 二、过电流保护的常用方法 电路保护法 器件保护法—熔断器、断路器、短路器等 1、熔断器 1）类型 插入式，大容量；螺旋式，小容量 ①交流侧电流有效值元件电流 ②能保护元件 ③仅对负载短路等起作用。 2）接法 3）主要参数： 额定电压：熔断器分断后能长期承受的电压有效值； 额定电流：熔断器能长期通过的电流有效值。 允通能量： 所保护器件的 2、快速直流开关或过电流继电器等 容量排序：短路器、断路器、隔离开关、继电器 速度排序：短路器、快速直流开关、继电器、断路器 3、开通缓冲吸收电路—snubber circuit 主要针对全控型器