第四篇场效应晶体管.pdfVIP

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2017-09-11 发布于北京
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第四篇场效应晶体管.pdf

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4.1结型场效应晶体管 4.2MOS场效应晶体管 1 2004年9月20 日星期一 4 场效应管 BJT是一种电流控制元件(i ~ i ) 工作时多数载流 B C 子和少数载流子都参与运行所以被称为双极型器件场效应管 Field Effect Transistor简称FET 是一种电压控制器件(u ~ i ) 工作时只有一种载流子 GS D 参与导电因此它是单极型器件 FET因其制造工艺简单功耗小温度特性好输入电阻极高等优点得到了广泛应用 N沟道结型场效应管 P沟道 FET分类增强型 N沟道 P沟道绝缘栅场效应管耗尽型 N沟道 2004年9月20 日星期一 P沟道 2 4.1 JFET ■ 结构与符号 ■ 工作原理与特性曲线 ■ 主要参数 ■ JFET的模型 3 2004年9月20 日星期一一结构与符号 JFET分为 N沟道 P沟道箭头 P➜N 4 2004年9月20 日星期一二工作原理与特性曲线 N沟道工作原理 1 V 控制沟道宽窄 GS 0V 宽 V = V 夹断电压) GS P - 窄 PN结反偏 0 电位梯度 2 V 控制沟道形状楔形沟道 DS 预夹断 + 5 2004年9月20 日星期一 P沟道JFET VDS很小 VGSVP VDS很小 PN结处于反偏