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第3章 场效应管放大电路 场效应管FET与三极管BJT的区别 3.1、结型场效应管 场效应管及其放大电路 绝缘栅场效应管 2. 耗尽型绝缘栅场效应管 2. 耗尽型绝缘栅场效应管 2. 耗尽型绝缘栅场效应管 耗尽型 3.3 场效应管的主要参数 3. 场效应管的主要参数 场效应管与晶体管的比较 跨导gm 跨导gm = ? ID / ? UGS 场效应管放大电路 场效应管放大电路 1.自给偏压式偏置电路 (2) 动态分析 N型衬底 P+ P+ G S D 符号： 结构 (4) P沟道增强型 SiO2绝缘层 加电压才形成 P型导电沟道 增强型场效应管只有当UGS ? UGS(th）时才形成导电沟道。 G S D 符号： 如果MOS管在制造时导电沟道就已形成，称为耗尽型场效应管。 (1 ) N沟道耗尽型管 SiO2绝缘层中 掺有正离子 予埋了N型 导电沟道 由于耗尽型场效应管预埋了导电沟道，所以在UGS= 0时，若漏–源之间加上一定的电压UDS，也会有漏极电流 ID 产生。 当UGS 0时，使导电沟道变宽， ID 增大； 当UGS 0时，使导电沟道变窄， ID 减小； UGS负值愈高，沟道愈窄， ID就愈小。 当UGS达到一定负值时，N型导电沟道消失， ID= 0，称为场效应管处于夹断状态（即截止）。这时的UGS称为夹断电压，用UGS(off）表示。 这时的漏极电流用 IDSS表示，称为饱和漏极电流。 (2) 耗尽型N沟道MOS管的特性曲线 夹断电压 耗尽型的MOS管UGS= 0时就有导电沟道，加反向电压到一定值时才能夹断。 UGS(off) 转移特性曲线 0 ID/mA UGS /V -1 -2 -3 4 8 12 16 1 2 UDS=常数 U DS UGS=0 UGS0 UGS0 漏极特性曲线 0 ID/mA 16 20 12 4 8 12 16 4 8 IDSS (3) P 沟道耗尽型管 符号： G S D 予埋了P型 导电沟道 SiO2绝缘层中 掺有负离子 G S D G S D 增强型 N沟道 P沟道 G S D G S D N沟道 P沟道 G、S之间加一定 电压才形成导电沟道 在制造时就具有 原始导电沟道 3.2.2 N沟道耗尽型MOS场效应管 + + + + + + + ? ? ? ? ? ? ? ? ? ? ? ? ? ? ? ? ? ? 耗尽型MOS管存在 原始导电沟道 Sect 1. 工作原理 当UGS=0时， UDS加正向电压，产生漏极电流ID,此时的漏极电流称为漏极饱和电流 IDSS 当UGS＞0时，将使ID进一步增加。 当UGS＜0时，UGS的减小漏极电流逐渐减小。直至ID=0。对应ID=0的UGS称为夹断电压 UP 退出 2. 特性曲线 转移特性曲线 UGS(V) ID(mA) UP 在恒流区 ID≈K(UGS-UP)2 沟道较短时 ID≈K(UGS-UT)2（1+?UDS) ID≈ IDSS(1- UGS /UP)2 常用关系式： Sect 输出特性曲线 ID(mA) N沟道耗尽型MOS管可工作在 UGS?0或UGS0 N沟道增强型MOS管只能工作在 UGS0 各类绝缘栅场效应三极管的特性曲线 绝缘栅场效应管 N 沟 道 增 强 型 P 沟 道 增 强 型 Sect 绝缘栅场效应管 N 沟 道 耗 尽 型 P 沟 道 耗 尽 型 Sect 各类场效应三极管的特性曲线 Sect 1. 开启电压UT MOS增强型管的参数，栅源电压小于开启电压的绝对值,场效应管不能导通。 2. 夹断电压UP 夹断电压是耗尽型FET的参数，当UGS=UP 时,漏极电流为零。 3. 饱和漏极电流IDSS 耗尽型场效应三极管当UGS=0时所对应的漏极电流。 4. 直流输入电阻RGS 栅源间所加的恒定电压UGS与流过栅极电流IGS之比 结型场效应管，反偏时RGS约大于107Ω，绝缘栅场效应管RGS约是109～1015Ω 5. 漏源击穿电压BUDS 使ID开始剧增时的UDS。 6.栅源击穿电压BUGS JFET：反向饱和电流剧增时的栅源电压 MOS：使SiO2绝缘层击穿的电压 7. 低频跨导gm 低频跨导反映了栅压对漏极电流的控制作用 (1) 开启电压 UGS(th)：是增强型MOS管的参数 (2) 夹断电压 UGS(off)： (3) 饱和漏电流 IDSS： 是结型和耗尽型 MOS管的参数 (4) 低频跨导 gm：表示栅源电压对漏