金属淀积系统指南.pptVIP

除了被溅射的原子被轰击外，还有其它核素淀积在衬底上（见下图）。这些核素给衬底加热（使温度达到350℃），引起薄膜淀积不均匀。在铝的淀积过程中，高温也可能产生不需要的氧化铝，这反而妨碍了溅射过程。另外如果这些核素（杂质原子）掺杂进正在衬底上生长的薄膜，这将引起薄膜的质量问题。 不同核素淀积在衬底上 1.射频溅射 使用直流溅射可以很方便地溅射淀积各种金属薄膜，但前提之一是靶材应具有较好的导电性。若阴极是导体，由于电传导阴极表面保持负电位；若是绝缘体，阴极表面被轰击出的电子不能被补充。因此随轰击的进行阴极聚集大量正电荷，使阴阳两极表面电势减小；一旦小于支持放电值，放电现象马上消失。 溅射系统 对于导电性较差的材料的溅射，我们找到了另一种溅射方法——射频溅射。 用交流电源代替直流电源就构成了交流溅射系统，由于常用的交流电源的频率在射频段，所以称为射频溅射。 射频方法在溅射过程中可以在靶材上产生自偏压效应，即在射频电场起作用的同时，靶材会自动地处于一个负电位，这将导致气体离子对其产生自发的轰击和溅射。 从以上讨论可以知道，溅射所需的气压较高，并且淀积速率也较低，气体分子对薄膜产生污染的可能性也较高。因而，磁控溅射作为一种淀积速率高、工作气体压力较低的溅射技术具有独特的优越性。 2.磁控溅射 3290磁控溅射台 磁控溅射就是在靶材后面安装磁体，以俘获并限制电子在靶前面的活动。 如后图，将磁铁装在靶后,由于阴极表面存在极强的磁场，电子受洛伦兹力的作用而被限制在阴极面上一个较窄的阴影区内进行螺旋运动,因提高了与气体分子的碰撞次数，增加了等离子体的密度，从而提高了溅射速率； 磁控溅射中从阴极表面反射的二次电子由于受到磁场的束缚而不再轰击硅片，避免了硅片的升温及器件特性的退化；在电磁场作用下，提高了气体分子的离化度，所以在较低的气压下就可工作，同时也提高了膜的纯度。 准直溅射 金属CVD 物理气相淀积（PVD）被广泛应用于淀积金属薄膜。然而，化学气相淀积（CVD）在获得优良的台阶覆盖和高深宽比通孔的填充方面有着明显的优势。当特征尺寸减小到0.15μm下时优点更加突出。 在某些金属层制备如高深宽比的钨塞和电镀前的铜层时具有更好的效果。 钨（W）因具有良好的的抗电迁移能力和导电性能，常被用于各种器件构造，以及MOS管的局部互连和通孔填充。在多层铝互连技术中，单个微芯片中数以亿计的通孔使用金属钨填充，工作性能稳定，是形成有效的多金属层系统的关键。 钨CVD 溅射淀积钨的成本较低，但方向控制较差，使得钨淀积在通孔中不均匀，因而CVD成为淀积钨的首选方法。 淀积钨前需淀积两层薄膜：钛膜和氧化钛膜。钛膜能有效降低接触电阻，通常使用溅射法淀积；氧化钛能保证钨和下层材料之间良好的粘附性，常使用CVD淀积保证良好的台阶覆盖。 钨塞成长使用低压CVP(LPCVD)工艺 。 金属钨的电阻率较高(如：钨５.３～１２；铝２.６～３.７)，并且金属钨不易于图形化，所以一般钨只作为连接两层金属间的插塞，或作为金属布线与晶体管电极之间连接的插塞，而不是作为整条布线。 铜CVD最普遍的应用是在铜电镀制备铜互连线之前淀积一层薄种子层。 为了获得良好的铜互连线，有良好的台阶覆盖并且连续没有空洞的铜种子层是至关重要的，而CVD法具有的优势使其作为淀积铜种子层的主要方法。 铜CVD 铜电镀 电镀（ECP）是工业上传统的镀膜工艺之一。铜电镀工艺具有成本低、工艺简单、无需真空支持、增大电流可提高淀积速率等优点，成为现代铜互连薄膜淀积的主要工艺。 铜电镀工艺是采用湿法化学品和电流将靶材上的铜离子转移到硅片表面的过程。 铜电镀系统由电镀液、脉冲直流电源、铜靶材（阳极）和硅片（阴极）等组成。电镀液由硫酸铜、硫酸和水组成，呈淡蓝色。 Cu2+ + 2e→ Cu 当电源加在铜靶和硅片之间时，溶液中产生电流并形成电场。铜靶（阳极）中的铜发生化学反应转化成铜离子，并在外加电场的作用下向硅片（阴极）定向移动。到达硅片时，铜离子与阴极的电子反应生成铜原子并镀在硅片表面。 除了铜电镀外，常用到银电镀。 * 金属化工艺技术，像其他制造工艺一样，由于集成电路发展的需要和新材料的出现，它经历了一个发展和进化的过程。直到20世纪70年代，金属淀积的主要方法仍然是真空蒸发。铝、金和熔断丝金属都通过这个技术来淀积。 由于淀积多金属系统和合金的需要，以及对金属淀积阶梯覆盖度的更高要求，使得溅射技术成为了超大规模集成电路制造的标准淀积方法。而难熔金属的应用，使金属