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浙江工业大学成教学院试卷B（答案） 课程 传感器与测试技术 姓名___________________________ ___供参考，如有疏忽，请指正______ 题序 一 二 三 四 五 六 七 八 九 十 总评 计分 命题：一、单项选择题（将答案号写在括号内,每题1分,共10分） 1莫尔条纹的宽度是由光栅常数和光栅的夹角决定的 ( A ) A 光栅常数越大，光栅的夹角越小, 莫尔条纹的宽度越宽 B 光栅常数越大，光栅的夹角越小, 莫尔条纹的宽度越宽 C 光栅常数越小，光栅的夹角越小, 莫尔条纹的宽度越宽 D 光栅常数越小，光栅的夹角越大, 莫尔条纹的宽度越宽 2 一阶传感器的时间常数τ越小,（ A ）频率响应特性越好。 A频率响应特性越好 B频率响应特性越差 C 灵敏度越大 D 灵敏度越小 3二阶传感器中，如输入为一正弦信号，一般来说,输出信号的 （ B ） A 频率变化，幅值和相位不变化 B 频率不变化 , 幅值和相位变化 C 频率不变化，幅值和相位不变化 D 频率相位不变化，幅值变化 4光栅式传感器中，如横向莫尔条文之间的距离为4mm, 则辩向电路的两个光电元件的距离应为 （ A ） A. 1mm B 2mm C 4mm D 8mm 5单晶硅材料受到应力作用后，其（ D ）发生明显变化，这种现象称为压阻效应。 A 面积 B 长度 C 体积 D 电阻率 6 热敏电阻的标称电阻是指温度在（ A ）的电阻值 A 25 oC B 0 oC C 100 oC D 273 oC 7．光电池的工作原理是基于_________： C A．光电发射效应 B．光电导效应 C．光伏效应 D．热敏效应 8．下列关于光电耦合器的叙述中，不正确的是_________：D A．光电耦合器实现了信号的光耦合和电隔离。 B．光电耦合器可以实现脉冲转换与直流电平转换，作为不同逻辑电路的接口。 C．光电耦合器的响应快、寿命长。 D．光电耦合器可以实现电→光→电双向信号传输。 9．下列关于磁阻元件的叙述中，不正确的是_________：B A．在弱磁场中，电阻与磁场呈平方特性；在强磁场中，电阻与磁场呈线性特性。 B．在弱磁场中，电阻与磁场呈线性特性；在强磁场中，电阻与磁场呈平方特性。 C．为了提高灵敏度，磁阻元件通常都做的很薄。 D．磁阻元件的工作基础是磁阻效应。 10．磁敏二极管与在其上施加的偏压和磁场的关系是_________：A A．在正向偏压、正向磁场作用下，随着磁场的增大，磁敏二极管的电阻增大。 B．在正向偏压、反向磁场作用下，随着磁场的增大，磁敏二极管的电阻增大。 C．在反向偏压、正向磁场作用下，随着磁场的增大，磁敏二极管的电阻增大。 D．在反向偏压、反向磁场作用下，随着磁场的增大，磁敏二极管的电阻增大。 二、填空题（每空1分，共10分）： 1、电涡流传感器中线圈的激励频率越高，电涡流的贯穿深度越 浅 ,导体的电阻率越大，电涡流的贯穿深度越____深______。 2、金属电阻应变片温度误差的产生主要是由 电阻温度系数的影响 和试件、电阻丝材料的线膨胀系数不同 引起的。 3．压电式传感器的放大电路主要有 电压放大 和 电荷放大 两种。 4．霍尔传感器的厚度越小，灵敏度 越大，输入输出电阻越 大 。 5、电涡流传感器根据激励的频率不同，分为 高频反射 式和 低频透射式。 三、是非题（每题1分，共10分） 1、任何周期信号都是由多个简谐信号合成的（ ） 对 2、信号的时域描述和频域描述只是同一个信号在不同域中的两种表示方法。（ ）对 3、差动变压器中提高初级线圈的电压，则灵敏度增加，漂移增大（ ）对 4、信号的时域描述和频域描述只是同一个信号在不同域中的两种表示方法。（对 ） 5、自相关函数是奇函数，其图形对称于原点。（ 错 ） 6、金属导体内产生的涡流由于趋肤效应，随着频率的增大，其贯穿深度也随之增大。（错 ） 7、对于金属导体和半导体材料而言，都能产生霍尔效应，只不过，半导体材料的灵敏度要大一些，适合于作霍尔元件。（对 ） 8、差动变压器是利用线圈间自感的变化来实现非电量测量的。（ 错 ） 9、常系数线性系统稳定输出信号的频率与输入信号的频率相同。（对 ） 10、绝对式码盘一般采用格雷码，