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doi:l0.3969~.issn.1563-4795.2011.09.O15
0 编【者按】电力电子器件是半导体功率器件的总称,是构成电力电子设备的基础,是从事电力电子
器件设计 、研发、生产、营销和应用人员以及 电源技术工作者应该熟悉的 内容。本刊从今年4月份
曩
≯ 开始以 “电力电子器件知识”为题开展讲座 ,以满足广大读者增长知识和用好这些器件 的需求。
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欢迎厂家及用户的工程师们撰稿 ,并望提 出宝贵意见。
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功 率 场 效 应 管 的 应 用 电 路
乔恩明 薛玉均 刘 敏 (供稿)
本刊编辑部 张乃国 (改编)
一D]
场效应管和普通三极管一样 ,可以用作开关 或导通两种状态 。由于MOS管是 电压控制器件 ,
或放大器 ,利用栅极 (G)的电压信号 ,控制源极 所 以主要 由栅一源 电压 决定其工作状态 。由
(S)和漏极 (D)之间的电流 。JFET和MOSFET使用 NMOS增强型管构成的开关 电路如图1所示 。
的场合略有不 同。JFET可用作模拟开关及信号放
大器 .特别是低噪声 的放大器 ,但很少用在数字
电路中的逻辑运算及功率放大器 中:MOSFET用途
VT,
较广 ,除一般 的开关 、信号放大及功率放大器外 ,
在数字电路及内存等大规模集成电路 fVLSI1方面 藩掣 ◆
都是MOSFET的天下 ◆譬RDD极之间
场效应管应用在模拟信号放大器 的设计方法
和普通三极管类似 。对应普通三极管 的共射极 、
共基极和共集电极的接法 ,场效应管也有共源极 、
共栅极和共漏极 的接法 。漏极不能做输入端 ,栅
极不能做输 出端 .与普通三极管集 电极和基极 的
限制也一样。场效应管应该偏压在饱和区 f或恒流
区),栅极的电信号叠加在原来 的直流偏压 电压上 ,
可造成输 出电流,n的变化。 (b)开关电路原理 图
图l 由NMOS增强型管构成 的开关 电路
1 场效应管基本开关电路 当 小于NMOS管的启动 电压 时,MOS管工
作在截止区,璐基本为0,输出电压 ‰ ,MOS
场效应管作为开关元件 ,同样是工作在截止
管处于 “断开”状态 ;当 大于NMOS管的启动电
收稿 日期 :2011-06—21 压 时,MOS管工作在导通区,此时漏一源电流iD6=
|: 《知识讲瘫
D+RDs)。其中, D6为MOS管处于导通时的漏一 2 单端反激式变换 电路
源电阻。输出电~Urs=‰ ·RDs/(RD+RD6),如果
RD,Um~OV,MOS管处于 “接通”状态。 图3所示为反激式变换器的基本电路。它与升
与普通三极管一样 ,场效应管在饱和与截止 降压型变换器不同的是电感 改为变压器T。其中。
两种状态转换过程 中,由于管子内部也存在着 电 图 (a)所示为基本电路 , 。为变压器T一次绕组的
荷 的建立与消失过程 ,因此饱和与截止两种状态
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