强磁场退火对直流电沉积单金属Co薄膜微观结构的影响.PDF

东北大学硕士学位论文 第3 章 强磁场退火对电沉积单金属Co 薄膜微观结构的影 第3 章 强磁场退火对直流电沉积单金属Co 薄 膜微观结构的影 3.1 前言 使用强磁场对Co 基膜层进行退火处理，很好地解决了传统热处理导致晶粒异常 大的问题，此外强磁场退火还能消除弱磁场时热扰动的影响。强磁场在退火过程中通过 对膜层磁化状态的影响能很好地解决膜层晶化、应力问题，更重要的是磁场诱导的磁各 向异性也会明显增强。对于Co 基薄膜的应用，如前文1.1.3 所述，无论是作为软磁材料 还是垂直磁记录材料都对膜层的晶粒尺寸、表面质量以及稳定性提出了很高的要求，也 就是说膜层的表面形貌、晶粒尺寸以及晶体结构等是影响膜层应用性能的主要因素。因 此，为达到优化 Co 基膜层性能的目的，就必须探索强磁场退火对 Co 基薄膜的微观结 构的影响规律，寻求最优的强磁场退火的参数条件。 基于以上考虑，本文重点研究了强磁场退火对Co 基薄膜微观结构以及性能的影响。 遵循实验研究从简到繁的一般规律，本章选择的研究对象为简单的电沉积Co 单金属膜 层，主要考察不同强度磁场在退火过程中对单金属Co 薄膜微观结构的影响。构建Co/Ni 双层膜的目的，一方面是为了消除基体对膜层的影响，另一方面是为了更加接近实际应 用的多层膜模型。本章研究中，使用了场发射电子显微镜(FE-SEM) 、原子力显微镜(AFM) 以及X 射线衍射(XRD)来调查不同强度的强磁场退火对单金属Co 薄膜微观结构的影响。 3.2 膜层表面形貌观察 不同磁场强度下退火的两组Co 薄膜表面形貌如图3.1 所示。通过比较两个电沉积 系列(0T-Bed 和 0.5T-Bed ) ，发现磁场退火对两个系列形貌演化产生相似的影响，只有在 磁场强度为 6T 时的试样之间存在微弱差别。通常认为，弱磁场在电沉积过程中的作用 效果在长时间的较高温度的退火过程中基本会被消耗殆尽。0T 磁场条件下退火处理的 试样具有不规则的颗粒形状，边界处伴随有大量羽绒状沉积物。随着退火过程中磁场强 度的增加，不仅颗粒形状和边界变得清晰，形成多面体形颗粒，而且在颗粒尺寸降低的 同时，大量羽绒状沉积物消失，边界变得更加清晰。 对于磁退火之后，膜层的边界变得更加清晰，分析可能是磁化导致的。众所周知， [1-3] 对于磁性和顺磁性的材料，由于磁化的作用磁场会诱导产生一个牵引力 ，这个力将 促进颗粒的分离。在本文研究中，磁场退火过程中所诱导产生的磁化能将导致扩散激活 能的降低，这些将会改善边界处沉积物的扩散。往往研究们更关注的是强磁场退火过程 - 1- 东北大学硕士学位论文 第3 章 强磁场退火对电沉积单金属Co 薄膜微观结构的影 中对再结晶过程以及晶界迁移(Grain Bounda y Migration GBM) 的影响。如果磁场在退火 [4-5] [6] 过程中阻碍了再结晶 ，或是磁场由于磁有序的作用促进 GBM ，膜层的颗粒尺寸会 在退火之后增加。然而本研究中却没有发现类似的规律，可能是因为本论文中选用不同 于其他研究者的电沉积工艺以及膜层导致的。