麻理工学院电气工程和计算机科学系新加坡分校微钠米系统材料.PDFVIP

麻省理工学院 电气工程和计算机科学系 新加坡分校 微钠米系统材料课程 MIT6.012/SMA5111 复合半导体 习题组3 解答 发布: 3月20 日, 2003 交作业: 4月3, 2003 本习题组中的材料参数列于下表: 习题 3.1 (a) 设计一个GaAs MESFET. 这个MEFET 必须设计为当VGS=0 时a’=a. (b) 最大低场下的导纳是多少? 假设栅源正向配置V =0.5V. GS,max 图3. 问题有关的位置和尺寸 正向配置会随小耗尽层深