精品碳化硅电力电子器件研发进展与存在问题.pdfVIP

一一一一一一二竺竖泛生丛丝生塑竺坐全布全尸学类含含论杰介 ..--二 _二 破裕硅电力电子界件研发进展与存在问题 陈治明 (西安理工大学 西安，陕西 710048) 1 引 言 借助于微电子技术的长足发展，以硅器件为基础的电力电子技术因大功率场效应晶体管 (功率MOS) 和绝缘栅双极晶体管 (IGBT)等新型电力电子器件的全面应用而臻于成熟。目前，这些器件的开关性能已 随其结构设计和制造工艺的相当完善而接近其由材料特性决定的理论极限，依靠硅器件继续完善和提高电 力电子装置与系统性能的潜力已十分有限。于是，依靠新材料满足新一代电力电子装置与系统对器件性能 的更高要求，早在世纪交替之前就在电力电子学界与技术界形成共识，对碳化硅电力电子器件的研究与开 发也随之形成热点。 作为一种宽禁带半导体材料，碳化硅不但击穿电场强度高、热稳定性好，还具有载流子饱和漂移速度 高、热导率高等特点，可以用来制造各种耐高温的高频大功率器件，应用于硅器件难以胜任的场合，或在 一般应用中产生硅器件难以产生的效果。使用宽禁带材料可以提高器件的工作温度。6H-SiC和4H-SiC 的禁带宽度分别高达3.0eV和 3.25eV，相应的本征温度可高达8000C以上;即就是禁带最窄的3c-sic, 其禁带宽度也在2.3eV左右。因此，用碳化硅做成的器件，其最高工作温度有可能超过6000C。功率开关器 件的反向电压承受力与其漂移区 (单极器件)或基区 (双极器件)的长度和电阻率有关，而单极功率开关 器件的通态比电阻又直接决定于漂移区的长度和电阻率，因而与其制造材料击穿电场强度的立方成反比川。 使用击穿电场强度高的材料制作高压功率开关，其电阻率不必选择太高，器件的漂移区或基区也不必太长。 这样，不但其通态比电阻会大大降低，工作频率也会大大提高。碳化硅的击穿电场强度是硅的8倍，其电 子饱和漂移速度也是硅的2倍，更有利于提高器件的工作频率，因而碳化硅单极功率开关不单是通态比电 阻很低，其工作频率一般也要比硅器件高10倍以上。热导率高则使碳化硅器件可以在高温下长时间稳定工 作。此外，碳化硅还是目前唯一可以用热氧化法生成高品质本体氧化物的化合物半导体。这使其也可以象 硅一样用来制造MOSFBT和IGBT这样的含有MOs结构的器件。除了电力电子技术，碳化硅的主要应用领域还 包括高频电子学、高温电子学、以及传感器技术等ful.Dill.因此，包含徽波电源在内的电力电子技术有可 能从碳化硅材料的实用化得到的好处，就不仅仅是使用碳化硅功率开关器件对整机性能的改善，也包括材 料的耐高温能力和化学稳定性通过集成信号采集与处理系统和智能控制系统对整机性能的改善，从而可以 在恶劣环境中保持良好工作状态。 随着直径30二左右的碳化硅片在1990年前后上市，以及高品质6H-SiC和4H-SiC外延层生长技术紧随 其后的成功应用，各种碳化硅功率器件的研究和开发即蓬勃开展起来。目前，各种功率器件都已证实可改 用碳化硅来制造。尽管产量、成本、以及可靠性等问题仍对其商品化有所限制，但碳化硅器件替代硅器件 的过程已经开始。美国的Cree公司和德国的Infineon公司 (西门子集团)都已有耐压600V、电流10A或12A 以下的碳化硅肖特基势垒二极管系列产品出售uW，一支4A器件目前售价仅4美圆。碳化硅肖特基势垒二极 管投入市场，一下子将肖特基势垒二极管的应用范围从250V(砷化稼器件)提高到600V。同时，其高温特 性特好，从室温到由管壳限定的175C，反向漏电流几乎没有什么增加。若采用适当的管壳，这种新器件 的工作温度可超过300C。目前，许多公司已在其IGBT变频或逆变装置中用这种器件取代硅快恢复二极管r}} 取得提高工作频率、大幅度降低开关损耗的明显效果，其总体效益远远超过碳化硅器件与硅器件的价差。 要不了多少年，电力电子装置和系统的性能就会因为碳化硅器件的广泛应用而得到极大改善。 下面，就几种主要的碳化硅电力电子器件，从器件、材料和制造工艺的当前水平到存在的主要问题作 一评述。 中困电口二技术学阅卜电才 电子学会第护、月学术年会论文秦 2碳化硅电力电子器件 就应用要求而言，电力电子器件除了要尽可能降低静态和动态损耗而外，还要有尽可能高的承受浪涌 电流 (电流在数十毫秒的瞬间数倍于稳态值)的能力。由于浪涌电流会引起器件结温的骤然升高，通态 比电阻偏高的器件，其浪涌电流承受力注定非常低。由于单极功率器件的通态比电阻随其阻断电压的提高 而迅速增大，硅功率MOs只在电压等级不超过100V时才具有较好的性能价