高功率微波效应的多层次多物理场协同算法.pdfVIP

第26卷第7期 强 激 光 与 粒 子 束 V01．26，NO．7 2014年7月 HIGHPoWERLASERANDPARTICLEBEAMS Jul．，2014 高功率微波效应的多层次多物理场协同算法。 徐 可， 陈 星， 王 昊 (四川大学电子信息学院，成都610065) 摘要： 针对半导体器件、电路、电子系统的高功率微波效应，提出了一套全新的多层次多物理场协同计 算方法。该算法基于半导体器件的物理结构模型，联立并求解由电磁场、半导体物理和热力学方程构成的多物 理场方程组，实现了器件级高功率微波效应的仿真；通过器件多物理场仿真和电路仿真的协同计算完成电路级 效应仿真；最后进行电路效应和电磁环境的协同计算，获取由多个电路、外壳封装、孔缝和线缆等组成的电子系 统的高功率微波效应数据。介绍了该算法的原理和流程，以商业PIN二极管为例，计算了该器件及组成限幅 器电路的温度效应、正向恢复特性、半封闭腔体内空间微波辐射等效应，通过与实验测试的对比验证了算法的 正确性，同时对效应现象给出了物理机理解释。 关键词： 高功率微波； 多物理场； 电磁仿真； 协同计算； 非线性效应 中图分类号：TN701 文献标志码： A doi：10．11884／HPLPB201426．073220 现代社会，军民应用领域都面临着更为复杂的电磁环境。电子系统(特别是系统中脆弱半导体器件)因高 功率微波作用，面临着干扰失效、大信号击穿甚至温升烧毁等效应现象。上述效应涉及到微波能量传播和耦 合、外部电磁场作用下的半导体内部载流子(电子和空穴)运动、电子系统热量积累和温度变化等物理过程的复 杂共同作用，传统的电磁场计算和电路仿真方法均无法解决该问题。 传统电磁场计算是在时域或频域下求解特定边界条件下的麦克斯韦方程组，应用于高功率微波效应计算 存在以下问题：线性麦克斯韦方程组不能描述半导体器件的非线性电特性，以及电路因高功率微波作用而出现 的工作状态改变；不能反映器件和电路的热量积累和温度上升，以及它们对电路工作状态的影响。 电路仿真采用等效电路模型描述半导体器件的非线性电特性口]，求解电路方程获得电路响应过程。在高 功率微波效应计算中，该方法缺乏半导体器件在高功率微波作用下的大信号、击穿和烧毁等效模型；不能描述 高功率微波在空问或电子系统中的传播和耦合；等效模型一定程度上掩盖了效应的物理机理。针对以上问题， 本文针对高功率微波效应，提出了一套全新的多层次多物理场协同算法口。。]。 1 多层次多物理场协同算法简介 该多层次多物理场协同算法基于半导体器件的物理模型，通过求解由电磁场、半导体物理和热力学方程组 成的多物理场方程组解，并与电路仿真和电磁环境数值仿真进行协同计算，实现半导体器件、电路和电子系统 三级层次的高功率微波效应计算，算法结构如图1所示。 1．1 半导体器件级效应的多物理场计算 基于半导体器件的物理模型，利用方程(1)～(10)构成的多物理场方程组，描述高功率微波作用下半导体 器件内部微波传播和耦合、载流子运动、热量积累和温度升高等效应过程。 J。一q!D。V咒 (1) q／x。托V够 t，，一qD，V乡弘，乡V9 (2) R (3) V·t，。+G 8n／at—q_1 R (4) ap／at—q V·t，。-I-G