精品第2章 门电路.docVIP

第二章 门电路 ★ 主要内容 1、MOS管的开关特性。 2、CMOS集成门电路。 3、TTL集成门电路、OC门、三态门的电路结构和特性参数。 4、门电路的 VHDL 描述及其仿真 ★ 教学目的和要求 逻辑门电路是数字逻辑电路的基本单元电路。 1、了解CMOS逻辑门的工作特点，正确理解CMOS反相器、与非门、或非门、异或门、传输门的结构及工作原理，熟练掌握其构图规则。 2、正确理解TTL与非门的集成电路结构及工作原理，会估算两种稳态下的输出电平； 正确理解TTL与非门的电压传输特性及主要参数的含义；掌握负载能力和抗干扰能力的概念；熟练掌握三态门及0C门的逻辑功能特点及0C门负载电阻的计算。 3、正确理解正负逻辑的规定；了解正负逻辑变化的三条规则；了解不同门电路之间的接口技术，门电路的外接负载以及门电路输入端的处理措施。 4、了解射极耦合逻辑门电路（ECL）和集成注入逻辑门电路的电路结构和工作特点 5、理解门电路的VHDL描述例子，会利用MAX+PLUS Ⅱ软件对门电路功能进行仿真，能根据仿真结果波形理解门电路的功能。 学时数： 6学时 重难点 重点：TTL、CMOS门电路的电气特性 难点：集成门电路工作原理分析 不同门电路之间的接口技术 第二章 门电路 门电路是数字电路的最基本单元，本章在三种最基本逻辑门的基础上，着重讲解集成门电路――CM与TTL门。 1、按集成度大小分： SSI：小规模集成电路，1－10门/片（10－100元件/片），构成逻辑单元 MSI：中规模集成电路，10－100门/片构成逻辑功能部件。如：译码器、选择器、读数器、寄存器、比较器等 LSI：大规模集成电路100－1000门/片，构成逻辑系统部件。如：CPU、存储器、串并行接口电路等 VLSI超大规模集成电路1000门/片以上，可构成一个完整的数字系统 2、按构成电路的半导体分：双极型和单极型 单极型：以M管为开关元件，如CM门双极型：以二极管和三极管为开关元件，如TTL门 3、按电路有无记忆功能分：组合逻辑电路和时序逻辑电路。 MOS管的开关特性 先介绍MOS管的开关特性（§2.1.4） M —metal，O —Oxide，S— Semicondutor[] 场效应管分为绝缘栅型和结型两大类，MOS管为绝缘栅型，MOS（M金属－O氧化物－S半导体）由这三种材料构成的三层器件，它是依靠半导体表面外加电场的变化来控制器件的导电能力，是单极型晶体管（由于只有一种极性的载流子参与导电），以下仅以NMOS增强型场效应管的结构为例，说明Mos管的开关特性。 如图示：NMOS管，在P型衬底上扩散两个高浓度的N区并引出极S，D具对称性可调换使用。同时在DS之间镀上SiO2绝缘层，也引出一个电极，称为G极B为基极，如图符号①uGS＝0D、S间相当于两背靠背的PN结，此时，DS间不可能导通，处于截止状态。 ②上正电压GS→SiO2层产生指向半导体表面的电场，由于绝缘层很薄（0.1m），电场很强→这个强电场将电子拉到P型半导体表面，形成一条N型导电沟道（表面场效应）→DS之间处于低阻导通状态→加DS形成i电流，相当于DS间开关闭合。 ③N、管的符号：N加正电源GS0，uDS0 PMOS加正电源GS0，uDS0 2、N管的几个主要参数 开启电压VT：形成导电沟道所需的最小电压GS，VTN＝+2V，VTP＝-2V 跨导，gm表明M管的输入电压控制电流的能力。 输入阻抗高。由于iO2绝缘性好，栅极几乎不取用电流，输入阻抗高由于iO2层厚度仅0.1m，栅极有一定大小的输入电容（可达几个F），而且由于栅极输入电阻很大，这个电容上电荷能够较长时间保存下来，利用这一特点，把信号暂存到M管的输入电容上，组成各种动态逻辑电路但是栅极电容的电荷不易泄漏掉，容易由于外界静电感应积累电荷在栅极产生较高的电压，造成栅极氧化层击穿，损坏M管为了避免这类事故发生，在数字集成电路中，一般都在输入端加上保护电路。如图在G间加保护二极管DZ，当静电压超过一定限度后，二极管击穿导通，使静电荷泄放保护氧化层不被击穿。 （一）CMOS反相器电路组成和工作原理 1、电路组成： 由一对互补的MOS管串接 TN工作管（NMOS），B1、S1接地（低电平） TP负载管（PMOS），B2、S2接VDD（高电平） 栅极连在一起作为输入端，工作管和负载管漏极联在一起作为输出端。CMOS开启电压典型数据：VTN＝+2V，VTP＝-2V，VDD＝+10V ①uI＝为V，uGS1＝V　TN截止；　UGS2＝-10V，负载管导通，电源几乎全部落在TN管上，输出电压＝VDD＝+10V，输出高电平。 ②uI＝10V　UGS1＝10V　TN导通；UGS2＝V，T2截止，＝V输出低电平，因此