精品第4章 半导体器件.ppt

B E C N N P EB RB EC IE ICBO IC=ICE+ICBO?ICE IBE ICE 集电结反偏，由少子形成的反向电流ICBO ，受温度影响比较大。 从发射区扩散到基区到达集电区边缘的电子被拉入集电区形成 ICE。 IB = IBE - ICBO ? IBE IB 直流电流放大倍数：ICE 与 IBE之比 要使三极管能放大电流，必须使发射结正偏，集电结反偏。 4.3.3 特性曲线 即管子各电极电压与电流的关系曲线，是管子内部载流子运动的外部表现，反映了晶体管的性能，是分析放大电路的依据。 为什么要研究特性曲线： 1）直观地分析管子的工作状态 2）合理地选择偏置电路的参数，设计性能良好的电路 重点讨论应用最广泛的共发射极接法的特性曲线 输入回路 输出回路 一、输入特性曲线 UCE ?1V IB(?A) UBE(V) 20 40 60 80 0.4 0.8 UCE=0V UCE =0.5V 0 IB(?A) UBE(V) 20 40 60 80 0.4 0.8 UCE?1V 特点:非线性 工作压降 硅管UBE?0.6~0.7V锗管UBE?0.2~0.3V 死区电压硅管0.5V锗管0.1V 二、输出特性曲线 IC(mA) 1 2 3 4 UCE(V) 3 6 9 12 IB=0 20?A 40?A 60?A 80?A 100?A 0 称为放大区或线性区 当UCE 大于一定数值时, IC 只与 IB 有关, 且 IC=? IB 发射结正偏 集电结反偏 (14-*) IC(mA) 1 2 3 4 UCE(V) 3 6 9 12 IB=0 20?A 40?A 60?A 80?A 100?A 0 深度饱和时 硅管UCES ? 0.3V 锗管UCES ? 0.1V 此区域中 ： UCE?UBE, 发射结正偏，集电结正偏， IC? IB ， 称为饱和区 (14-*) IC(mA ) 1 2 3 4 UCE(V) 3 6 9 12 IB=0 20?A 40?A 60?A 80?A 100?A 0 此区域中 ：IB=0, IC=ICEO UBE 死区电压， 发射结反偏，集电结反偏， 称为截止区。 (14-*) 输出特性三个区域的特点 放大区：发射结正偏，集电结反偏。 即： UCE UBE ，IC = ?IB , 且 ?IC = ? ? IB + UBE 0 ? C T E IC IE IB + UCE ? B - UBC 0 + (14-*) (2) 饱和区：发射结正偏，集电结正偏。 即：UCE ? UBE ， ?IB IC + ? IE B + UBE 0 ? C T E - UBC 0 + (14-*) (3) 截止区：发射结反偏，集电结反偏。 UBE 死区电压，IB=0 ， IC=ICEO ?0 IC = 0 IB = 0 + UCE ? UCC ? IE B + UBE ≤ 0 ? C T E - UBC 0 + (14-*) 例1: ? = 50， USC = 12V, RB =70k?， RC =6k? 当USB = -2V，2V，5V 时，晶体管工作于哪 个区？ 解：当USB =-2V时： IC UCE IB USC RB USB C B E RC UBE IB=0 ， IC=0 T 管工作于截止区 (14-*) T 管工作于放大区 IC UCE IB USC RB USB C B E RC UBE 解：USB =2V时： IC最大饱和电流： (14-*) 解：USB =5V时: IC UCE IB USC RB USB C B E RC UBE T 管工作于饱和区，因IC 和IB 已不是 ? 倍的关系 IC最大饱和电流： (14-*) 已知UCE=6V时：IB=40?A, IC=1.5mA 求? 和? 。IB=60 ?A, IC=2.3mA 在以后的计算中，一般